李贵君
- 作品数：11 被引量：14H指数：2
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- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
- 高速沉积本征微晶硅的优化及其在太阳电池中的应用被引量：4
- 2009年
- 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2nm/s时,制备得到光电转换效率为9.36%的单结微晶硅太阳电池,将其应用到叠层电池中制备得到效率为11.14%的非晶硅/微晶硅叠层电池.
- 韩晓艳侯国付魏长春张晓丹戴志华李贵君孙建陈新亮张德坤薛俊明赵颖耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜
- 提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电池光稳定性的研究被引量：6
- 2012年
- 如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅烷浓度梯度对叠层电池光稳定性的影响.经过初步优化,连续光照1000 h后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7%.
- 侯国付卢鹏韩晓艳李贵君魏长春耿新华赵颖
- 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及制备方法
- 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及其制备方法。所述材料为磷或砷掺杂的N型宽带隙纳米硅薄膜。首先将待处理样品放入高真空沉积系统中，利用等离子体增强化学气相沉积方法，通过有效控制辉光功率和硅烷浓度等沉积参数制备出相应...
- 侯国付李贵君耿新华魏长春赵颖
- 文献传递
- 高速沉积非晶硅顶电池及在非晶/微晶硅叠层电池中的应用
- 在硅基薄膜太阳电池中，非晶硅/微晶硅叠层太阳电池代表了新一代低成本太阳电池的发展方向。为了进一步降低太阳电池成本，加快非晶/微晶硅叠层太阳电池的产业化进程，需要提高薄膜电池的沉积速率与转换效率。本论文针对上述目的，主要进...
- 李贵君
- 关键词：非晶硅微晶硅叠层太阳电池硅基薄膜
- 文献传递
- VHF-PECVD高速沉积非晶硅电池的研究
- 本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的影响,特别是电极间距和沉积压力二者共同作用下对于沉积速率的影响。把获得的高速本征非...
- 李贵君侯国付张晓丹魏长春孙建韩晓艳戴志华陈飞赵颖耿新华
- 关键词：VHF-PECVD非晶硅电池
- 文献传递
- 过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用
- 2009年
- 研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。
- 李贵君侯国付韩晓艳魏长春孙建戴志华赵颖耿新华
- 关键词：非晶硅
- 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及制备方法
- 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及其制备方法。所述材料为磷或砷掺杂的N型宽带隙纳米硅薄膜。首先将待处理样品放入高真空沉积系统中，利用等离子体增强化学气相沉积方法，通过有效控制辉光功率和硅烷浓度等沉积参数制备出相应...
- 侯国付李贵君耿新华魏长春赵颖
- 文献传递
- 高速沉积本征微晶硅薄膜微结构的研究及其对电池性能的影响
- 本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术在沉积速率～1.2nm/s时沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜。通过测试该系列材料的Raman谱,XRD和AFM,研究了高速沉积本征微晶硅薄膜的微结构特性。结果表明,当厚度小于...
- 韩晓艳侯国付张晓丹魏长春孙建薛俊明陈新亮张德坤李琳娜李贵君赵颖耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜微结构太阳电池
- 文献传递
- 非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微晶硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填充因子由60%提高到63%.
- 韩晓艳李贵君侯国付张晓丹张德坤陈新亮魏长春孙健薛俊明张建军赵颖耿新华
- 高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究被引量：1
- 2009年
- 采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明:能反映材料晶化程度的I[SiH*]/I[Hβ*]比值在沉积时间为100s之内有下降的趋势,且反应气体总流量Tfl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5min时I[Hβ*]/I[Hα*]的强度比值表明氢等离子体中的电子温度随Tfl的增加先减小后增加,相对应的红外吸收谱(FTIR)表明材料的微结构因子R先减小后增加,即氢等离子体的电子温度变化对材料质量有较大的影响.
- 韩晓艳耿新华侯国付张晓丹李贵君袁育杰魏长春孙建张德坤赵颖
- 关键词：微晶硅薄膜电子温度
