李含雁
- 作品数：38 被引量：96H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>
- UV-LIGA技术加工340GHz行波管折叠波导慢波结构的研究
- UV-LIAG技术是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔，电子注通道和输出波导等)的方法之一，本文研究了在UV-LIAG技术中，曝光量对SU-8胶模的影响分析原因，得出最佳工艺，并对340GHz的折叠波导进行了初步的实验研...
- 李含雁白国栋李兴辉蔡军胡银富冯进军
- 关键词：折叠波导行波管慢波结构太赫兹波
- 太赫兹真空器件中的微加工技术和微封装技术
- 当工作频率升高至太赫兹频段时,真空器件的结构尺寸缩小至毫米级甚至微米级。传统的精密加工方法已经不能满足要求,这就要求采用新的加工技术即微细加工技术以保证很高的尺寸精度和表面光洁度。本文介绍了三种主要的微细加工技术,LIG...
- 李含雁冯进军唐烨蔡军
- 关键词：微细加工技术LIGAUV-LIGA深反应离子刻蚀
- 220GHz行波管试验进展
- 本文介绍了中国电子科技集团公司第十二研究所正在开展的220GHz行波管的研制工作。该器件预期可以产生10W的输出功率和5GHz带宽,增益为30d B。220GHz行波管采用微加工的折叠波导慢波结构、周期永磁系统聚束的圆形...
- 潘攀胡银富唐烨李含雁李天一张琳刘世硕邬显平冯进军
- 关键词：行波管折叠波导微加工
- 文献传递
- 体硅深槽刻蚀技术研究
- 深反应离子刻蚀是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔，电子注通道和输出波导等)的方法之一，本文研究了在深反应离子刻蚀中，工艺气体的流量和气压、下电极射频电源功率、刻蚀/钝化时间等工艺参数对宽80μm，深300μm深槽的侧壁...
- 李含雁白国栋蔡军胡银富冯进军
- 关键词：电真空器件折叠波导深槽刻蚀
- 文献传递
- 折叠波导慢波结构太赫兹真空器件研究被引量：32
- 2009年
- 简要介绍了利用折叠波导慢波结构的太赫兹真空辐射源的发展现状,重点对折叠波导慢波结构的特点进行了研究,并利用这种慢波结构开展了W、D波段行波管,W波段和650 GHz返波振荡器,560 GHz反馈振荡放大器的设计、计算和模拟优化,分别得到了较好的结果,并实际研制出W波段连续波行波管,输出功率达到8 W。对太赫兹真空辐射源的部件技术、微细加工技术进行了研究和分析。
- 冯进军蔡军胡银富瞿波李含雁唐烨
- 关键词：太赫兹真空电子器件折叠波导微加工技术
- 340GHz行波管设计与试验研究
- 本文介绍了中国电子科技集团公司第十二研究所正在开展的340GHz行波管的研制工作.该器件采用微加工的折叠波导慢波结构、周期永磁系统聚束的圆形截面电子注和采用金刚石窗片的盒形输能窗.行波管的设计工作电压为22kV,电流为5...
- 潘攀李含雁唐烨李天一张琳刘世硕蔡军邬显平冯进军
- 关键词：太赫兹行波管折叠波导微加工
- 220GHz行波管实验研究进展
- 本文针对目前系统应用对于220GHz频段的大功率辐射源的需求,设计了一种折叠波导行波管,目标是在215GHz-225GHz的带宽范围内能够输出10W以上的功率.完成了微细加工的折叠波导高频电路,测试表明驻波系数小于2.2...
- 胡银富张小青陈辑董芮彤李诗婧李天一冯进军潘攀刘京恺任大鹏蔡军杜英华李含雁李莉莉唐烨
- 关键词：折叠波导行波管太赫兹
- 文献传递
- 近太赫兹频段线性注真空器件的研究被引量：6
- 2015年
- 介绍了太赫兹频段真空电子器件的研究和开发进展,包括慢波结构理论、设计、模拟及优化,微加工和微组装技术,整管技术等。这些器件包括行波管、返波管、斜注管、止带振荡器及行波管谐波放大器等,高频结构以折叠波导慢波结构为主,在太赫兹返波管中则利用叶片加载波导慢波结构。器件技术包括微机电系统(MEMS)技术,微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)金刚石生长、金属化和封接技术等。最后给出W波段、G波段以及340 GHz部件和器件所达到的性能。
- 冯进军蔡军胡银富李含雁杜英华唐烨李莉莉潘攀
- 关键词：太赫兹行波管返波管微机电系统技术金刚石
- 采用UV-LIGA技术制作340GHz折叠波导慢波结构被引量：5
- 2013年
- 紫外光刻、电铸和注塑(UV-LIGA)技术是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔、电子注通道和输出波导等)的重要方法。采用UV-LIGA技术制作340 GHz折叠波导慢波结构,研究前烘、曝光量、后烘对SU8胶模的影响,着重讨论了曝光量的影响并分析其原因,得出最佳工艺。另外,本文还对去胶进行了初步研究,获得了全铜的340 GHz的折叠波导结构。
- 李含雁白国栋李兴辉唐烨冯进军
- 关键词：紫外光刻曝光量
- 一种真空器件用的全金属结构的多层加工方法
- 本发明公开了一种真空器件用的全金属结构的多层加工方法，包括如下步骤：1)在无氧铜基底上涂覆光刻胶，经光刻，得具有光刻胶图形的无氧铜基底；2)在所述具有光刻胶图形的无氧铜基底上微电铸一层铜；3)去除微电铸后得到的结构中的光...
- 李含雁蔡军冯进军
- 文献传递
