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李佳

作品数：7 被引量：21H指数：3
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金应用光学国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇湿法腐蚀
  • 4篇微显示
  • 4篇微显示器
  • 4篇微显示器件
  • 4篇显示器
  • 4篇显示器件
  • 4篇隔离沟槽
  • 2篇LED阵列
  • 1篇电磁驱动
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇亚胺
  • 1篇粘接
  • 1篇粘接剂
  • 1篇阵列器件
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇误差分析
  • 1篇线列
  • 1篇亮度

机构

  • 7篇中国科学院长...

作者

  • 7篇李佳
  • 6篇梁静秋
  • 4篇王维彪
  • 3篇孔庆峰
  • 3篇侯凤杰
  • 3篇金霞
  • 1篇朱万彬
  • 1篇王淑荣
  • 1篇赵莉娜
  • 1篇王波
  • 1篇陈斌
  • 1篇裴舒
  • 1篇孙德贵
  • 1篇梁中翥
  • 1篇钟砚超
  • 1篇郭鹏

传媒

  • 2篇微细加工技术
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究被引量：3
2006年
良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对G aA s进行了腐蚀,在二者配比为3∶1的条件下,在G aA s衬底材料上制备了深宽比为2∶1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。
李佳梁静秋金霞孔庆峰侯凤杰王维彪
关键词：GAAS湿法腐蚀
聚酰亚胺悬臂MOEMS电磁光开关的优化设计被引量：1
2006年
利用聚酰亚胺(PI)优良的机械、绝缘、耐热等性能,设计出基于PI膜的磁控光开关.给出合理的线圈宽度与间隙宽度,提出了八边形的线圈绕组结构,计算得出PI膜悬臂梁光开关驱动电压与工作距离的关系,并对悬臂梁长度、宽度、厚度进行优化.在驱动电压为2V时,自由端位移达到2mm.
孔庆峰梁静秋钟砚超侯凤杰李佳孙德贵
关键词：光开关电磁驱动悬臂梁聚酰亚胺
一种超高亮度微显示器件的研究
梁静秋王维彪朱万彬梁中翥王波王淑荣陈斌裴舒金霞李佳
超高亮度微显示器件成果属于显示技术领域，本成果以MEMS技术为基础，采用湿法腐蚀方法在AlGaInP发光芯片上制备LED集成阵列，解决了高深宽比隔离沟槽的制备难题，制作了小体积、低功耗和高密度像素的LED微显示器件。实际...
关键词：
关键词：显示器件LED超高亮度
高精度长线列密排光纤阵列的制作研究被引量：7
2007年
本文讨论了利用硅V型槽法制作高精度线性光纤阵列的可行性,介绍了硅V型槽制作机理,对影响器件精度的主要因素进行了分析,并在器件设计、制作中给予充分考虑。根据器件的可靠性要求,分析了用于光纤粘接的粘接剂应满足的特性,并对紫外固化胶和红外粘接剂进行实验对比,结果表明,Norland紫外固化胶和353ND红外粘接剂为最佳选择。用各向异性湿法腐蚀技术制作了硅V型槽,进行了光纤排列、定位及端面处理,制作出了高精度线性光纤阵列。对端面面型误差和表面粗糙度的测试后,结果表明光纤阵列端面纵向位置误差≤324 nm,表面粗糙度均方根值小于3.85nm。
侯凤杰梁静秋郭鹏孔庆峰李佳
关键词：误差分析粘接剂
LED阵列的设计和制作工艺研究被引量：11
2006年
根据Al GaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm×16μm和2μm。简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、Al GaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀。实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求。
梁静秋李佳王维彪
关键词：微显示器件隔离沟槽湿法腐蚀
LED型微显示器件及其集成技术研究
李佳
关键词：微显示器件LED阵列隔离沟槽湿法腐蚀封装
发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备被引量：2
2005年
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。
金霞梁静秋李佳赵莉娜王维彪
关键词：微显示器件隔离沟槽湿法腐蚀欧姆接触ALGAINPGAP
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