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朱福英

作品数:42 被引量:67H指数:5
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺医药卫生更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 4篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 11篇理学
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇医药卫生
  • 2篇核科学技术
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 7篇溅射
  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 5篇异质结
  • 5篇异质结双极晶...
  • 5篇双极晶体管
  • 5篇晶体管
  • 5篇半导体
  • 4篇气态源分子束...
  • 4篇离子溅射
  • 4篇离子注入
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 4篇合金
  • 4篇DHBT
  • 4篇GSMBE
  • 4篇GSMBE生...
  • 3篇电解液
  • 3篇乙烯
  • 3篇载流子

机构

  • 42篇中国科学院
  • 3篇上海第二医科...
  • 2篇中国纺织大学
  • 1篇杭州大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇上海农学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 42篇朱福英
  • 12篇王震遐
  • 12篇齐鸣
  • 11篇徐安怀
  • 10篇艾立鹍
  • 9篇朱德彰
  • 9篇孙浩
  • 7篇曹建清
  • 6篇陶振兰
  • 5篇潘冀生
  • 5篇潘浩昌
  • 5篇章骥平
  • 4篇陈景升
  • 4篇徐洪杰
  • 4篇曹德新
  • 4篇王玟珉
  • 4篇张慧明
  • 4篇张永刚
  • 4篇洪婷
  • 4篇陈黎华

传媒

  • 7篇物理学报
  • 7篇核技术
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇上海生物医学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇高能物理与核...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇解剖学杂志
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电子器件
  • 1篇上海农学院学...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第五次核物理...

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2002
  • 3篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 6篇1994
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1986
  • 2篇1982
42 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
齐鸣徐安怀陈晓杰朱福英艾立鹍李爱珍李存才胡建
解决了GSMBE生长InGaP/GaAs HBT外延材料的关键科学和技术问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的4英寸InGaP/GaAs HBT材料。所发展的超薄层异质外延材料技术,在InGaP/Ga...
关键词:
关键词:GSMBE
重碳掺杂p型GaAsSb的GSMBE生长及其特性被引量:1
2007年
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1~20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V.s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.
孙浩齐鸣徐安怀艾立鹍朱福英
关键词:异质结双极晶体管INPGAASSB碳掺杂气态源分子束外延
一类用于测量锑化物材料载流子浓度剖面的电解液
本发明提供一类适用于电化学电容-电压(ECV)方法测量锑化物半导体材料载流子浓度剖面分布电解液,目的在于提高电化学电容-电压方法测量锑化物材料载流子浓度的准确性。其基本特征在于:基础溶液为酒石酸钾钠的水溶液;在测量不同导...
洪婷张永刚朱福英
文献传递
AlxSn100—x合金系统的Ar^+溅射研究被引量:1
1994年
用捕获膜和卢瑟福背散射技术给出了30keVAr+轰击AlxSn100-x合金系统(X=90,70,50,30,10)溅射Sn和Al原子的角分布及其择优溅射变化。提出一个考虑靶点表面形貌和元素局域富集对发射原子影响的模型,分析结果和实验数据符合较好.
王震遐章骥平潘冀生陶振兰朱福英张慧明曾跃武
关键词:溅射合金铝锡合金
Cu-37at% Ag共晶合金的离子溅射研究
1994年
侧重研究了入射Ar+离子不同剂量轰击时表面微形貌和溅射原子角分布之间的关联,并建议用“元素按靶点表面微形貌特征局域富集模型”来解释溅射原子角分布形状以及择优溅射曲线的变化;发现其结果与实验相符合。
王震遐潘冀生章骥平陶振兰朱福英赵烈张慧明
关键词:角分布溅射表面形貌合金
Ar离子溅射生成碳纳米管被引量:2
1998年
用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TE),研究了离子溅射石墨表面的形貌特征和结构,证实了碳纳米管可通过溅射原子在表面形貌突起部位沉积生长.
王震遐朱福英王玟珉俞国庆阮美龄张慧明朱京平
关键词:离子溅射石墨碳纳米管氩离子
氘轰击天然铁产生的反应激发函数
有关氘束轰击天然铁产生的反应绝对截面值极少,且误差也较大.我们利用原子核所1.2米回旋加速器,其出射氘束能量为15.7 ±0.2 Mev 轰击天然铁(纯度为99.9%)迭靶,利用能量和射程间的关系确定各个靶片上的氘束轰击...
陶振兰朱福英裘惠源王功庆
文献传递
等离子体浸没离子注入豌豆种子的表面形态研究被引量:14
1997年
用等离子体浸没离子注入设备对食荚青豌种子进行了氩离子注入。卢瑟福背散射方法证实了经这种离子注入后,的确有一定数量的氩离子进入了食荚青豌种子,并发现注入种子的氩离子的相对浓度与注入的时间有关。用扫描电子显微镜对经过注入和未经注入离子的食荚青豌种子的表面形态进行了研究,发现等离子体浸没氩离子注入对种子有刻蚀作用。本文还探讨了这种注入方式引起种子细胞损伤的机制。
吴美萍何国兴陈英方钟华朱福英
关键词:等离子体表面形态豌豆种子
Al-Sn合金表面元素深度分布的局域性
1994年
利用微束卢瑟福背散射能谱(M-RBS)分析方法,对Al_(70)Sn_(30)合金表面的两种微相区(Al富集相区和Sn富集相区),在27keVAr ̄+离子轰击(总剂量为1.4×10 ̄(18)Ar ̄+/cm ̄2)前后,分别测定了Sn原子的深度分布。实验结果表明,在Al富集相区和Sn富集相区之间,以及各相区在离子溅射前后,Sn原子浓度深度分布曲线是不相同的。
王震遐潘冀生章骥平朱福英
关键词:多元合金局域性铝锡合金
超高分子聚乙烯经离子注入后生物相容性研究被引量:5
1999年
目的:研究经离子注入后的高分子聚乙烯的生物相容性。方法:按照美国材料协会ASTM标准,进行了全身急性毒性试验,热原试验,细胞毒性试验,微核试验和肌肉长期植入试验。结果:经离子注入的超高分子聚乙烯样品符合各项试验标准,并与对照样品在试验过程中出现的情况一致。结论:经离子注入的超高分子聚乙烯样品与末经离子注入的已在临床上使用的超高分子聚乙烯具有相同的生物相容性,为临床上作为人工材料应用提供了试验依据。
陈黎华陈明峰沈金根蔡青顾秀君何正瑞朱福英陈景升潘浩昌曹建清
关键词:离子注入聚乙烯生物相容性生物材料
共5页<12345>
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