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朱祖华
作品数:
22
被引量:26
H指数:3
供职机构:
浙江大学信息与电子工程学系
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发文基金:
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合作作者
丁纯
浙江大学信息与电子工程学系
吴小萍
浙江大学信息与电子工程学系
陈抗生
浙江大学信息与电子工程学系
杨易
中国科学院上海冶金研究所上海微...
丁桂兰
浙江大学信息与电子工程学系
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朱祖华
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丁纯
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1994
3篇
1993
2篇
1992
4篇
1991
1篇
1989
共
22
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不同状态下激光器电场强度分布的电光检测与初步分析
1993年
连续波电光检测技术是近几年发展起来的测量光电材料及光电材料制备的器件的电特性的一种新型测量技术。它基于线性电光效应。采用连续波激光作为测量手段。 CW EOP技术已在GaAs,LiNbO_3等光电材料及器件的电场分布检测中得到实质性应用。采用CWEOP技术对半导体激光器内场分布电光检测的初步结果在文献[4]中已有报道,本文是对激光器在不同状态下进行场分布电光检测的更进一步探讨。
王硕勤
朱祖华
关键词:
激光器
电场强度
光电检测
电光取样技术在ps级超短电脉冲测量和GHz高频电信号测量中的应用
被引量:1
1991年
对ps级超短电脉冲测量而言,电光取样是目前最准确、最有效的方法之一。本文介绍了电光取样的基本测量原理及实验途径,对测量的误差因素进行了分析。电光取样对由电光晶体如GaAs、LiNbO_3等制成的光电器件的瞬态响应测量具有特殊优点。本文着重对GaAs集成电路的瞬态测量原理和方法及误差因素进行了介绍。电光取样基于谐波混频原理对GaAs高频场分布的测量也十分有效。
王硕勤
朱祖华
关键词:
脉冲测量
信号测量
用连续波电光检测技术进行LiNbO_3定向耦合波导调制器的场分布测量
被引量:3
1991年
本文介绍一种新颖的无损伤检测技术——连续波电光检测技术(OWEOP)对LiNbO_3定向耦合波导调制器模拟样品内场分布进行各种测量所获得的实验结果。采取了背射和端射两种测量方式,测出了波导电极条下,电极间隙区以及电极中断区电场的分布,并对实验结果进行了讨论。
朱祖华
丁纯
丁桂兰
王硕勤
关键词:
波导调制器
电场分布
InP系波导和光电探测器单片集成
1996年
本文主要报道InP光波导和InGaAs-PIN光电探测器的单片集成,包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份.器件的结构和制作方法较为简单,而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近,如光波导损耗最小为8.6dB/cm,器件正向压降为0.4~0.6V,反向击穿电压>40V,响应度~0.5A/W,上升时间<0.9ns.
杨易
陈兴国
程宗权
王惠民
吕章德
蒋惠英
王晨
施惠英
吴学海
朱祖华
胡征
关键词:
磷化铟
光电探测器
单片集成
工作状态下半导体激光器中电场分布的测量方法及装置
连续波电光检测技术测量半导体激光器场分布的方法及装置:方法特征是探测激光垂直解理面透射处于工作状态的被测半导体激光器,其本身发出的激光经分离和/或滤去;装置特征是半导体激光器与检偏器间增设显微镜系统、分光和/或滤光装置,...
朱祖华
连续波电光检测法用于检测超薄层异质结外延材料均匀性的研究
被引量:1
1997年
本文以连续波电光检测法(CWEOP)为基本原理,设计完成了自动电光检测系统,并采用锁相放大技术,对超薄层异质结外延材料进行了电场分布的测试,由此对其均匀性进行了评估.通过实验探讨了超薄层异质结外延材料2DEG分布不均匀的电光检测标准、最佳测试条件等,并对影响测量结果的因素进行了分析.本方法的突出优点是能够无损地对超薄层异质结外延材料不均匀的2DEG进行定位.
苏小元
朱祖华
关键词:
分子束外延
异质结
GaAs/AlGaAs发光二极管列阵场分布特性的电光测量
1994年
应用一种新颖的无损伤测量技术-连续波电光检测法(CWEOP)对GaAs/GaAlAs单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量.实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情况;通过比较各单元电场分布,反映器件发光均匀性.文中详细介绍了测量原理、实验装置和实验结果及讨论,最后用计算机对电场分布作了模拟计算并与实验结果进行了对照.
吴小萍
朱祖华
关键词:
发光二极管
列阵
电场分布
砷化镓
GaAs/GaAlAs激光器列阵有源区电场分布研究
1995年
用连续波电光检测法测量了激光器列阵发光区电场分布,并对其注入电流扩展作了模拟讨论。
吴小萍
朱祖华
方祖捷
关键词:
激光器列阵
GAALAS
二维消像差平面场型凹面光栅的设计与成像分析
被引量:3
1998年
给出了二维消像差平面场型凹面光栅的一般设计方法,推导了三点消像差光栅的成像条件,分析了平面场型光栅的成像质量与色散、分辨率及光栅宽度的关系。
赵春华
朱祖华
陈抗生
杨易
关键词:
像差
InGaAsP/InP单片集成波长解复用器件
被引量:1
1998年
报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件,器件刻蚀在InGaAsP/InP平板波导上,通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离,光的输入输出耦合由波导阵列来完成,器件的工作波长在1.5μm附近,通道间隔约4.3nm,本文给出了器件的设计方法、制作工艺和初步测试结果。
赵春华
朱祖华
陈抗生
杨易
王惠民
程宗权
陈兴国
胡雄伟
关键词:
集成光学器件
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