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曹永峰

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：上海市科委国际合作基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 9篇电路
  • 6篇锁相
  • 6篇锁相环
  • 6篇滤波器
  • 6篇环路
  • 6篇环路滤波
  • 6篇环路滤波器
  • 6篇鉴频
  • 6篇鉴频鉴相器
  • 6篇鉴相
  • 6篇鉴相器
  • 5篇锁相环电路
  • 5篇分频
  • 5篇分频器
  • 3篇带宽
  • 3篇电阻
  • 3篇压控
  • 3篇振荡器
  • 3篇环路带宽
  • 3篇计数

机构

  • 18篇上海集成电路...

作者

  • 18篇曹永峰
  • 17篇周伟
  • 15篇胡少坚
  • 13篇任铮
  • 8篇王勇
  • 8篇叶红波
  • 6篇唐逸
  • 4篇赵宇航
  • 3篇朱建军
  • 3篇陈寿面
  • 2篇周炜捷
  • 2篇肖慧敏
  • 2篇王全
  • 2篇俞柳江
  • 2篇陈立山
  • 1篇朱骏
  • 1篇范红梅
  • 1篇何波
  • 1篇李琛
  • 1篇徐利锋

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2011
  • 9篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低功耗锁相环电路
本发明的低功耗锁相环电路包括鉴频鉴相器、环路滤波器、电荷泵、压控振荡器、分频器、信号检测电路和动态开关，所述鉴频鉴相器与所述电荷泵连接，所述电荷泵通过所述动态开关与所述环路滤波器连接，所述环路滤波器与所述压控振荡器连接，...
任铮胡少坚周伟曹永峰唐逸
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用于ESD防护的MOS器件的形成方法
本发明公开了一种用于ESD防护的MOS器件的形成方法，通过与该MOS器件类型相反的另一MOS器件的源/漏区的离子注入工艺，对形成该MOS器件的镇流电阻的区域进行反向注入，从而最终降低该区域的离子注入浓度，进而在不增加工艺...
俞柳江王全曹永峰周伟顾学强肖慧敏陈立山
恒定电流产生电路
本实用新型涉及一种恒定电流产生电路。该恒定电流产生电路包括：预定电流产生电路；连接该预定电流产生电路的滤波电路；镜像电流产生电路，该镜像电流产生电路包括第一放大器和第一晶体管，该第一晶体管与该预定电流产生电路形成镜像连接...
范红梅周伟胡少坚曹永峰王勇
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锁相环电路及其控制方法
本发明涉及一种锁相环电路及其控制方法。该锁相环电路包括依次连接的鉴频鉴相器、电荷泵、电流镜电路、环路滤波器、环路滤波电阻调整电路、压控振荡器、分频器。该电流镜电路的输入端接收该电荷泵输出的控制电流，并调整该控制电流的大小...
任铮胡少坚周伟唐逸王勇曹永峰叶红波
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一种D型触发器单元以及具有D型触发器单元的分频器
本发明提供了一种D型触发器单元包括：第一两输入与非门、第二两输入与非门、第一反相器、第二反相器、第三反相器、以及第一D型触发器。本发明还提供了一种具有D型触发器单元的分频器，能够通过一组N位两进制数字信号M输入分频数，将...
任铮胡少坚周伟曹永峰顾学强王勇
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一种MOSFET频率特性偏差检测器及检测方法
本发明提出了一种MOSFET频率特性偏差检测器及其检测方法。所提供的MOSFET频率特性偏差检测器用以探测集成电路制造过程中由于半导体工艺引起的MOSFET频率特性的波动，其包括参考电荷电路、计数器电路和电压控制振荡器，...
任铮胡少坚周伟曹永峰叶红波
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一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法
本发明提出了一种集成电路电阻电容工艺参数波动检测器及使用方法。所提供的集成电路电阻电容工艺参数波动检测器用以探测由特定半导体工艺制成的电阻阻值和电容容值的波动以及该电阻电容所组成RC电路频率特性与理想值间的偏差，其包括参...
任铮胡少坚周伟曹永峰
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一种工艺波动自适应锁相环频率综合器
本实用新型公开了一种工艺波动自适应锁相环频率综合器，包括：鉴频鉴相器；电荷泵，和所述鉴频鉴相器相连；环路滤波器，和所述电荷泵相连；压控振荡器，和所述环路滤波器相连；MOSFET工艺波动反馈电路，和所述压控振荡器相连；分频...
任铮胡少坚周伟曹永峰顾学强唐逸
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片上中心抽头差分电感
本实用新型公开一种片上中心抽头差分电感，所述差分电感由绕线线圈、绕线线圈交叠区以及由绕线线圈末端引出的中心抽头组成，所述绕线线圈交叠区和中心抽头制作在同一金属层中，所述绕线线圈制作在另一金属层中，所述中心抽头呈“M”型或...
王勇叶红波任铮胡少坚朱建军周伟曹永峰周炜捷陈寿面赵宇航
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一种MOSFET频率特性偏差检测器及检测方法
本发明提出了一种MOSFET频率特性偏差检测器及其检测方法。所提供的MOSFET频率特性偏差检测器用以探测集成电路制造过程中由于半导体工艺引起的MOSFET频率特性的波动，其包括参考电荷电路、计数器电路和电压控制振荡器，...
任铮胡少坚周伟曹永峰叶红波李琛
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