方晓华
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长被引量：1
- 2002年
- 通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法研究材料特性,得到材料参数的典型值:二维电子气浓度在室温时为5.6×1011cm-2,电子迁移率为6000cm2/V·s;在77K低温时浓度达3.5×1011cm-2,电子迁移率为1.43×105cm2/V·s。用C-V法测量其浓度分布表明,分布曲线较陡。典型的器件应用结果为:单管室温直流跨导达280mS/mm,在12GHz时均有8dB以上的增益。
- 谢自力邱凯尹志军方晓华陈建炉蒋朝辉
- 关键词：分子束外延调制掺杂二维电子气
- MBE制备Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂异质结构
- 本文用GEN-ⅡMBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性能.
- 谢自力邱凯尹志军方晓华陈建炉蒋朝辉
- 关键词：MBE
- 文献传递
- 高质量AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长及其应用
- 用GEN-Ⅱ MBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料.通过对MBE生长工艺中影响GaAs,AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了用GEN-Ⅱ MBE设备生长Al<,x>Ga<...
- 谢自力邱凯尹志军方晓华陈建炉蒋朝辉
- 关键词：分子束外延调制掺杂二维电子气ALGAAS/GAAS
- 文献传递
