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戚伟

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:中国国防科技信息中心更多>>
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相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇HBT
  • 1篇单片
  • 1篇单片电路
  • 1篇电路
  • 1篇虚地
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇放大器
  • 1篇负阻
  • 1篇VCO
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇ISM波段
  • 1篇MMIC
  • 1篇W

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇中国国防科技...
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 2篇戚伟
  • 1篇陈凤霞
  • 1篇柳现发
  • 1篇冯威
  • 1篇王绍东
  • 1篇李远鹏
  • 1篇蔡文胜

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
5 W ISM波段InGaP/GaAs HBT功率放大器MMIC(英文)被引量:2
2010年
通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路。该三级放大器的各级器件单元的发射极面积分别为320μm2,1280μm2,5760μm2,芯片内部包括了输入、输出50Ω匹配电路,面积仅为1.9mm×2.1mm。放大器采用5V单电源供电,在2.4~2.5GHz频率范围内线性增益为27dB,2dB增益压缩点输出饱和功率达到37dBm,功率附加效率为46%。
冯威戚伟柳现发王绍东
关键词:功率放大器ISM波段HBTMMIC
宽带HBT VCO单片电路的设计和制作被引量:1
2010年
针对传统采用的VCO设计理论,分析了VCO的基本结构及其工作原理,分析了负阻法和反馈法的优缺点,采用虚地法对VCO电路进行了分析和设计,从而简化了VCO的设计。同时利用EDA工具对微波宽带VCO单片电路进行优化和仿真,采用多种方法提高芯片性能。基于HBT工艺,设计出了宽带、低相位噪声的VCO单片电路,芯片工作电压为5V,工作电流为50~58mA,VCO振荡频率为3.2~6.2GHz,相噪为-73dBc/Hz@10kHz,输出功率11~14dBm。同时还阐述了采用片上外加变容管的优缺点以及改进方法。
陈凤霞蔡文胜戚伟李远鹏
关键词:虚地负阻异质结双极晶体管
共1页<1>
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