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徐世宏

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇电子能
  • 2篇电子能谱
  • 2篇光电子能谱
  • 2篇光电子能谱研...
  • 1篇异质结
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇半导体
  • 1篇SI
  • 1篇ZNSE
  • 1篇硅
  • 1篇锗
  • 1篇ZNS

机构

  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇合肥国家同步...

作者

  • 2篇班大雁
  • 2篇徐世宏
  • 2篇方容川
  • 1篇袁诗鑫
  • 1篇徐彭寿
  • 1篇薛剑耿
  • 1篇陆尔东
  • 1篇徐彭涛

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 2篇1997
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究被引量：2
1997年
利用同步辐射光电子能谱研究了Ｇｅ／ＺｎＳｅ（１００）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ｇｅ原子与Ｓｅ原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为１７６±０１ｅＶ．用界面键极性模型对ＺｎＳｅ（１００）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论。
班大雁方容川杨风源袁诗鑫徐世宏徐彭涛
关键词：半导体异质结光电子能谱锗
Si/ZnS极性界面能带偏移的同步辐射光电子能谱研究
1997年
用同步辐射光电子能谱测量了Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）异质结的价带偏移ΔＥｖ．对于Ｓｉ／ＺｎＳ（１１１）及（１００）两界面，ΔＥｖ的实验结果均为（１９±０１）ｅＶ，与已有理论预期值相当符合，但与Ｍａｉｅｒｈｏｆｅｒ所报告的ＺｎＳ／Ｓｉ（１１１）异质结测量结果之间则存在明显差别．该实验结果表明对于Ｓｉ／ＺｎＳ极性界面，互逆性规则（ｃｏｍｍｕｔａｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）可能不成立，就此进行了讨论．
班大雁方容川薛剑耿陆尔东徐世宏徐彭寿
关键词：光电子能谱硫化锌硅
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共1页<1>
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