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张春伟

作品数：44 被引量：13H指数：2
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 20篇氧化层
  • 14篇栅氧化
  • 14篇栅氧化层
  • 11篇多晶
  • 11篇多晶硅
  • 11篇多晶硅栅
  • 11篇硅栅
  • 10篇晶体管
  • 9篇氧化物半导体
  • 9篇半导体
  • 8篇金属
  • 7篇载流子
  • 7篇碳化硅
  • 7篇热载流子
  • 7篇N型
  • 6篇金属氧化物半...
  • 5篇电阻
  • 5篇双极型
  • 4篇电流
  • 4篇电路

机构

  • 44篇东南大学
  • 1篇中国空空导弹...

作者

  • 44篇张春伟
  • 39篇孙伟锋
  • 38篇刘斯扬
  • 29篇时龙兴
  • 29篇陆生礼
  • 9篇张艺
  • 6篇钱钦松
  • 5篇周雷雷
  • 5篇黄宇
  • 4篇于朝辉
  • 4篇叶然
  • 4篇袁永胜
  • 3篇陈云飞
  • 3篇宋慧滨
  • 3篇毕可东
  • 3篇朱荣霞
  • 3篇孙陈超
  • 3篇王永平
  • 2篇叶伟
  • 2篇王建立

传媒

  • 6篇东南大学学报...
  • 3篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 5篇2017
  • 7篇2016
  • 14篇2015
  • 3篇2014
  • 13篇2013
  • 2篇2012
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应被引量：2
2013年
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区域的热空穴注入和沟道区域的界面态产生,均有明显的退化恢复效应.对功率n-LDMOS器件施加2个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现该器件在应力变换期间确实发生了热空穴的退陷阱效应.然后,对功率n-LDMOS器件施加3个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现器件处于关断阶段时,已产生的界面态存在一定程度的复合.
徐申张春伟刘斯扬王永平孙伟锋
关键词：热载流子电荷泵
功率VDMOS器件的新型SPICE模型
2013年
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.
朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟
关键词：VDMOSSPICE模型准饱和效应
场效应管电容‑电压特性测试电路的串联电阻测定方法
本发明公开了一种场效应晶体管电容‑电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性的修...
刘斯扬张艺魏家行张春伟孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究
2016年
本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但在Vgs=90%*Vds时,因为没有载流子注入栅氧层,使得退化趋势出现转折.此外,研究还发现,界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响,致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化,然而,正反向Idlin退化却相同,这是因为Idlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态.
刘斯扬于朝辉张春伟孙伟锋苏巍张爱军刘玉伟吴世利何骁伟
关键词：热载流子
一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法
本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正...
刘斯扬黄栋朱荣霞张春伟宋慧滨孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种高鲁棒性的高压静电放电保护器件
一种高鲁棒性的高压静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的上部设有第一低压N型阱、第一低压P型阱，在第一低压N型阱内设有N型阴区，在第一低压P型阱内设有P型阳...
孙伟锋张春伟袁永胜刘超叶然刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺
一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区...
刘斯扬于朝辉于冰张春伟孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件
一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底，在N+型衬底上设有N型过渡外延层，在N型过渡外延层上设有N-型外延层，在N-型外延层的内部上方设有2个P...
刘斯扬杨超张春伟钱钦松孙伟锋陆生礼时龙兴
文献传递
一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管
一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层...
孙伟锋黄宇王永平张春伟戴佼容刘斯扬陆生礼时龙兴
文献传递
一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件
一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有...
孙伟锋马荣晶周雷雷张艺张春伟刘斯扬陆生礼时龙兴
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