张星灿
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 双色红外探测器被引量：2
- 1989年
- 本文综述了双色(多色)红外探测器的研究发展状况。介绍了器件的研制结构形式以及目前达到的性能水平。简述了双色红外探测器在军事、工农业等方面的应用。
- 苏培超张星灿
- 关键词：红外探测器探测器
- 132元InSb光伏线列的研究
- 1991年
- 报道了我们研制出的132元InSb光伏线列的制备工艺及其性能。线列是采用流行的Cd扩散工艺和光刻剥离技术制成的,每个线列装于封离的检测杜瓦瓶中,77K,线列典型检测元的探测率D~*(500,1000,1)为(0.8～1.5)×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。
- 张星灿雷胜琼黄承彩薛南屏李卫田正伦
- 关键词：INSB光伏红外探测器
- InSb混合红外焦平面工艺研究被引量：2
- 1991年
- InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。
- 张星灿田种运雷胜琼
- 关键词：焦平面INSB红外探测器
- 双色红外探测器研究被引量：2
- 1991年
- 为适应遥感、遥测及精确制导技术的发展,我们已研制出一定性能的CdS/HgCdTe(0.3～0.5μm/3～5μm)、Si/InSb(0.3～1.05μm/3～5μm)、Si/HgCdTe(0.3～1.05μm/3～5μm)、HgCdTe/LiTaO_3(3～5μm/8～14μm)、HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)等多种双色红外探测器。其中HgCdTe/HgCdTe(3～5μm/8～14μm)光导双色探测器的峰值探测率D~*(5.1,980,1)=2.1×10^(10)cmHz^(1/2)/W,D~*(9.8,980,1)=8.1×10~9cmHz^(1/2)/W, 峰值响应率R(5.1,980,1)=1.3×10~4V/W,R(9.8,980,1)=373V/W。文中介绍了双色探测器的设计、结构、制备及器件的性能水平。
- 苏培超余旭彬马晖曾光丽张星灿
- 关键词：红外探测器夹层结构
- 化学抛光InSb晶片的扫描电镜观测被引量：1
- 1992年
- 本文选取5种腐蚀液对 InSb 晶片进行化学抛光。用扫描电镜(SEM)对抛光前后的 InSb 晶片进行了表面形貌、电子束通道图案、表面组分和杂质的对比观测,并对观测结果进行了讨论。实验结果表明:用乳酸液抛光可获得光滑平坦、In/Sb 原子比接近1的表面。
- 雷胜琼张星灿
- 关键词：化学抛光
