张新民
- 作品数：17 被引量：38H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- CdWO_4闪烁晶体中夹杂物的组态与形成被引量：2
- 1990年
- 本文首次研究了CdWO_4闪烁晶体中夹杂物的形貌特征和分布规律,并指出它们形成的原因以及消除的办法。
- 徐军马笑山沈雅芳张新民
- 关键词：钨酸镉闪烁晶体组态
- Ce：Lu_2SiO_5闪烁晶体生长被引量：11
- 1996年
- 用Φ８０×６０ｍｍ的铱坩埚，铱丝为籽晶，提拉法生长了Ｃｅ（０．５ａｔ．％）：Ｌｕ２ＳｉＯ５单晶。Ｌｕ２Ｏ３原料纯度为９９．５％；得到小晶体的尺寸３×４×４ｍｍ；测量了晶体的光学激发谱和发光谱；讨论了生长大晶体的措施。
- 吴光照张新民朱汝德张秀荣
- 关键词：闪烁晶体引上法晶体生长激发光谱晶体
- 磁铅石结构晶体 LaMgAl_(11)O_(19)形态学被引量：2
- 1991年
- 沿 a,b 轴生长了 LaMgAl_(11)O_(19)单晶,用 X 射线和光学方法测定了各显露面的密勒指数,利用 Hartman-Perdok 的 PBC 理论,计算了几个重要显露面的吸附能,根据吸附能的大小判断了显露顺序,理论结果与实验相符。
- 徐军马笑山沈雅芳张新民吴光照胡少波
- 关键词：晶体磁性材料
- LaMgAl_(11)O_(19)∶Nd^(3+)晶体组分和晶体生长
- 1992年
- 用电子探针分析 LaMgAl_(11)O_(19):Nd^(3+)晶体和夹杂物中的成分,结果表明,夹杂物由主成分不同组成所构成,晶体成分整体偏离化学比。进一步用 X 射线荧光技术分析 Al_2O_3过量所生长的晶体成分,得到了生长优质晶体的组分。设计特殊温场,用提拉法生长出φ25×120mm、无解理α方向的 LaMgAl_(11)O_(19):Nd^(3+)大单晶。
- 张新民马笑山徐军沈雅芳吴光照
- 关键词：激光晶体晶体生长
- Cr^(3+)∶BeAl_2O_4单晶的特性及生长工艺的改进被引量：4
- 1999年
- 描述了掺Ｃｒ３＋离子的紫翠宝石（Ｃｒ３＋∶ＢｅＡｌ２Ｏ４）单晶的晶体结构、物理性质、晶体的吸收光谱与发射光谱及其激光特性。讨论了用引上法生长Ｃｒ３＋∶ＢｅＡｌ２Ｏ４晶体的一些工艺问题中。引上法晶体生长过程中选用较慢的提拉速度、较快的转速生长较大直径的晶体的工艺参数，能够生长出高质量的Ｃｒ３＋∶ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶体。我们的实验表明，采用温梯法也能生长出高质量的Ｃｒ３＋∶ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶。与提拉法相比，温梯法减少了原料对环境的污染；易于实现自动温度程序控制；
- 张新民朱汝德柴耀吴光照
- 关键词：激光晶体晶体生长单晶
- 提拉法生长LaMgAl_(11)O_(19):Nd^(3+)晶体固液界面翻转和翻转界面缺陷被引量：2
- 1990年
- 本文首次描述了提拉法生长LaMgAl_(11)O_(19):Nd^(3+)(LNA)晶体中的固液界面翻转现象,以及由此产主的一类新的缺陷。用界面稳定性原理分析了界面翻转过程中产生缺陷的原因;探讨了其纵横向应力条纹形成机理。从该晶体的特点出发,采取了控制临界液流状态、平界面生长优质LNA晶体的方法。
- 徐军马笑山沈雅芳张新民
- 关键词：晶体激光晶体提拉法
- 铝酸镁镧晶体中夹杂物的分析被引量：3
- 1991年
- 本文通过对引上法生长铝酸镁镧晶体中夹杂物的显微观察以及电子探针的定量分析,得出晶体中几种夹杂物的形成主要原因。
- 沈雅芳马笑山徐军朱汝德张新民胡凡
- 关键词：晶体激光晶体
- Nd^(3+)在LaMgAl_(11)O_(19)晶体中的光谱特性被引量：1
- 1990年
- 一、前言 已获得广泛应用的铝酸盐激光晶体,如YAG:Nd^(3+)、YAP:Nd^(3+)有许多优点,但它们的Nd^(3+)离子发光浓度粹灭效应严重,限制了掺杂浓度。YAG:Nd^(3+)只能掺入约2×10^(20)/cm^3。为了探索高Nd^3+)浓度的激光晶体,法国科学家在1981年制备了LaNdMgAl_(11)O_(19)晶体。我们用提拉法生长了LNA单晶,测量了77K和300K的吸收谱、荧光及偏振荧光谱和荧光寿命,并获得了57mJ的1.054/,m的脉冲激光输出。
- 张秀荣马笑山沈雅芳徐军张新民
- 关键词：ND光谱特性
- BeAl_6O_(10)晶体中的Cr^(3+)发光中心
- 1990年
- 铬激活的BeA1_6O_(10)(BHA)晶体中Cr^(3+)离子形成多种发光中心,给出复杂的发光.发光谱中包含着荧光寿命为几十微秒至几毫秒不同的光谱成分,本文用Chrono光谱法分离子这些重迭的成分,辩认出三种铬中心——两种强场中心,Cr(Ⅰ)和Cr(Ⅱ),一种低场中心,Cr(Ⅲ).并且给出了它们占据的格位.一个单胞里可能的铬格位共有40个.其中,24个畸变了的八面体格位属于Cr(I)型中心;8个畸变较小近乎正八面体的格位属于Cr(Ⅱ)型中心;另外8个格位具有次近邻微扰结构,属于Cr(Ⅲ)型中心.Cr(Ⅲ)给出宽带发射.
- 吴光照马笑山沈雅芳张秀荣徐军张新民
- 关键词：晶体发光中心光谱
- 三温区溶质传输助熔剂法生长BaTiO_3晶体被引量：1
- 1995年
- ＢａＴｉＯ３晶体新的生长方法，即感应加热三温区溶质传输熔剂法。其要点使高温熔体分为三个温区，坩埚顶部为生长区（Ａ区），温度最低，坩埚底部为溶解区（Ｃ区），温度高于生长区，营养料置于此区，坩埚中部为高温区（Ｂ区），在此区将杂晶熔解。还阐述了此法的机理，调试创造了稳定适宜的三温区温场。用此法生长出了优质ＳＴｉＯ３大单晶，尺寸达３０×３０×１５ｍｍ，并初步观测了其畴结构形貌，实验测定了晶格常数和居里点。
- 徐军吴光照马笑山张新民邓佩珍
- 关键词：助熔剂法BATIO3晶体
