张慕义
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 宽带GaAs MMIC功率放大器的设计被引量：1
- 2005年
- 概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.
- 张务永王翠卿王生国王同祥张慕义
- 关键词：宽带MMIC功率HFET
- 5-21GHz砷化镓宽带单片集成电路
- 本文简叙了砷化镓宽带单片电路的结构形式、CAD设计的过程以及单片的制作和性能测试等.其性能为:5-21GHz频段内,输出功率大于15dBm,增益大于8.5dB;输入、输出驻波比≤2;1,增益平坦度±0.85.
- 张玉清张慕义王绍东
- 关键词：砷化镓单片集成电路CAD设计
- 文献传递
- 8毫米GaAs功率单片集成电路
- 1997年
- 介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。
- 张慕义张玉清高学邦王勇李岚
- 关键词：毫米波砷化镓单片集成电路
- 10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路
- 1997年
- 介绍了以栅宽1.2mm GaAs FET 器件为基础的两级 GaAs 功率单片集成电路的设计、制作及其性能。该两级单片集成电路在10～11GHz 频带内,输出功率1W,增益10dB。
- 张玉清张慕义高学邦李岚王勇孙先花
- 关键词：砷化镓单片集成电路
- 移相掩模应用技术
- 1999年
- 一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。
- 贾海强张玉清张慕义李岚
- 关键词：亚半微米半导体集成电路
- X波段GaAsFET混合集成放大器
- 文章介绍了将FET芯片直接制作成放大器的实验结果和曲线。作者们采用源复盖空气桥结构,把各个源区连接起来,绕过边缘到芯片背面接地,以提高FET器件的微波性能。经计算源引线电感仅15PH。用上述器件制成的两级芯片放大器,在9...
- 邓鸿章赵正平张慕义
- 文献传递
- ２－１８ＣＨｚ ＧａＡＳ宽带功率单片电路研究
- 张玉清张慕义
- 关键词：分布放大器宽带放大器最优设计单片电路
- 单片X波段GaAsMESFET功率放大器
- 1984年作者们试制出X波段单片功率放大器样品,单片面积为1.84mm×1.32mm,中心频率为10.3G Hz,带宽为250MHz,线性增益大于3dB,增益压缩1dB处的输出功率为110mW。1985年,作者们在器件物...
- 赵正平邓鸿章张慕义
- 文献传递
- 微波毫米波功率单片电路CAD
- 1998年
- 从功率ＦＥＴ大信号建模、功率ＭＭＩＣ设计方法以及ＣＡＤ同工艺因素的结合等方面论述了功率单片电路的ＣＡＤ应用技术。
- 高学邦孙先花梁亚平张玉清张慕义王同祥
- 关键词：大信号建模电路模拟MMICCAD
- GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量被引量：1
- 2000年
- 用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .
- 孙伟田小建孙建国衣茂斌张慕义张玉清马振昌
- 关键词：砷化镓单片集成电路激光器驱动电路
