宋生
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
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- SiC单晶中典型的生长缺陷
- 告主要介绍SiC单晶中几种典型的生长缺陷如:微管、螺位错、基平面位错、基平面弯曲、层错等.利用同步辐射形貌术、原子力显微镜、激光显微镜对这些缺陷进行了观察和表征.根据SiC单晶的结构特点,讨论了这些缺陷的形成机理.在缺陷...
- 胡小波徐现刚高玉强陈秀芳彭燕宋生
- 4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究被引量：2
- 2010年
- 利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布。显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<112-0>方向容易出现裂缝。裂缝两侧有不同的生长形貌。拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志。纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<112-0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<112-0>方向,轴向生长方向平行于<0001->方向。
- 彭燕宁丽娜高玉强徐化勇宋生蒋锴胡小波徐现刚
- 关键词：4H-SIC晶型转变
- 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
- 本发明提供一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法，所述方法包括：采用升华法将碳化硅源粉末加热至升华，建立优选温度和压力范围，确保生长晶型为4H-SiC；在生长室中建立特定的轴向温度梯度，促使碳化硅源粉升华至籽晶上结晶；...
- 徐现刚彭燕胡小波高玉强宋生王丽焕魏汝省
- 半绝缘SiC单晶生长和表征被引量：4
- 2012年
- 使用升华法生长碳化硅(SiC)单晶,借助数值模拟方法优化温场,在不同条件下分别获得单一晶型的4H-SiC和6H-SiC单晶,利用拉曼光谱进行表征。采用V掺杂的方法,制备半绝缘SiC单晶,使用非接触式电阻率测试仪进行了测试,并对4H-SiC和6H-SiC电阻率进行了比较和分析。
- 宋生胡小波徐现刚
- 关键词：SIC单晶数值模拟晶型半绝缘
- SiC单晶中生长缺陷的研究进展
- SiC是第三代半导体材料的典型代表,它具有宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率、耐辐照、耐化学腐蚀等性能,在光电子和微电子领域均有重要的应用前景。与第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs相比,SiC单晶...
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- 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
- 本发明提供一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法，所述方法包括：采用升华法将碳化硅源粉末加热至升华，建立优选温度和压力范围，确保生长晶型为4H-SiC；在生长室中建立特定的轴向温度梯度，促使碳化硅源粉升华至籽晶上结晶；...
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- 文献传递
- 同步辐射白光形貌术定量计算晶体的残余应力被引量：3
- 2013年
- 提出了一种利用同步辐射白光形貌术定量计算晶体残余应力的方法。晶体的残余应力与晶格畸变之间存在定量关系,衍射斑点的畸变程度可以反映晶格的畸变量,据此可以计算晶体中的残余应力。文中以碳化硅单晶样品残余应力的定量计算作为实例,展示了实验方法和计算过程。结果表明该样品的残余应力以正应力为主。
- 宋生崔潆心杨昆徐现刚胡小波黄万霞袁清习
- 关键词：残余应力碳化硅
