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宋柏泉
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1
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国家信息存储工程技术研究中心
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余晋岳
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余晋岳
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宋柏泉
传媒
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上海交通大学...
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1篇
1996
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微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程
1996年
用Biter粉纹技术研究了长×宽为40μm×300μm,厚度为40nm的微型NiFe磁阻元件,在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程,观察和分析了曲折状畴形成、Neel壁合并。
余晋岳
宋柏泉
周勇
蔡炳初
关键词:
磁畴
畴壁
反磁化
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