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宋柏泉

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:国家信息存储工程技术研究中心更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇反磁化
  • 1篇畴壁
  • 1篇磁畴
  • 1篇磁化

机构

  • 1篇国家信息存储...

作者

  • 1篇余晋岳
  • 1篇宋柏泉

传媒

  • 1篇上海交通大学...

年份

  • 1篇1996
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程
1996年
用Biter粉纹技术研究了长×宽为40μm×300μm,厚度为40nm的微型NiFe磁阻元件,在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程,观察和分析了曲折状畴形成、Neel壁合并。
余晋岳宋柏泉周勇蔡炳初
关键词:磁畴畴壁反磁化
共1页<1>
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