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姬濯宇

作品数：59 被引量：5H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 47篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 2篇理学

主题

  • 25篇晶体管
  • 18篇有机半导体
  • 18篇半导体
  • 15篇晶体
  • 14篇场效应
  • 14篇衬底
  • 12篇场效应晶体管
  • 11篇绝缘衬底
  • 10篇电极
  • 10篇有机场效应晶...
  • 9篇介质层
  • 9篇绝缘
  • 8篇晶体管结构
  • 8篇存储器
  • 7篇载流子
  • 7篇迁移率
  • 7篇金属
  • 5篇电阻
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管

机构

  • 57篇中国科学院微...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇兰州大学
  • 1篇安徽大学
  • 1篇延安大学

作者

  • 59篇姬濯宇
  • 53篇刘明
  • 37篇商立伟
  • 19篇王宏
  • 12篇刘欣
  • 11篇韩买兴
  • 9篇陈映平
  • 9篇李冬梅
  • 9篇柳江
  • 8篇刘兴华
  • 8篇陆丛研
  • 7篇王龙
  • 7篇王伟
  • 6篇王艳花
  • 6篇谢常青
  • 5篇刘舸
  • 5篇涂德钰
  • 5篇陈宝钦
  • 5篇李泠
  • 4篇胡文平

传媒

  • 2篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇2013年全...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 20篇2012
  • 8篇2011
  • 8篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维集成阻变存储器阵列的电-热模型
2016年
随着三维集成阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)集成度的不断提高,由焦耳热引起的热效应将会严重影响器件的稳定性、可靠性及寿命.因此,三维集成RRAM将面临最大的挑战是如何解决器件的热效应问题,而这种热效应现象伴随着器件特征尺寸的下降,热量分布对于RRAM器件的影响(如能耗、热稳定性等)变得尤为突出.特别是随着存储单元密度的不断提升,相邻单元之间的距离不断减小,邻近单元的热串扰将严重制约三维集成RRAM的发展和应用.本文基于电-热类比方法,建立了一种新的三维集成阻变存储器阵列的电-热紧凑模型;模型的准确性通过ANSYS物理场仿真软件进行了验证.该模型能够在Cadence中同时进行阵列电学特性和热学特性的仿真;本文提出的紧凑模型可以用于预测三维集成RRAM阵列中的热分布状况及分析热串扰.
卢年端宗旨威李泠刘琦裘德龙姬濯宇刘明
基于自组装技术的交叉阵列结构有机器件制备方法
一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下：1.在基片表面上淀积绝缘薄膜；2.在绝缘薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到下电极图形；3.蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；4.旋涂抗蚀剂，光刻得到与下电极交叉的上电极...
王丛舜胡文平涂德钰姬濯宇刘明
文献传递
基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法
本发明公开了一种基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法，是通过三次光刻、三次金属沉积、一次有机半导体薄膜生长、一次绝缘介质层生长和一次绝缘介质层刻蚀，获得有机集成电路，该方法包括：在绝缘衬底上旋涂光刻胶保护层，光...
姬濯宇王宏刘明商立伟
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一种在LEdit中绘制矢量字符的方法
本发明公开了一种在LEdit中绘制矢量字符的方法，该方法包括：获取用户绘图的位置和系统信息，并将获取的信息转换成逻辑坐标信息；获取用户需要绘制的字符信息，将该字符信息映射到逻辑内存中转换成位图信息；在逻辑内存中获取该位图...
刘明柳江姬濯宇陈宝钦
电容器件及其制造方法
本发明实施例公开了一种电容器件，包括：下电极；下电极上的介质层，其中，所述介质层包括有机介质层；介质层上的上电极。通过形成包括有机介质层的介质层，有机介质层具有更好的电子俘获能力，可以减少电容器件的漏电，从而提高电容器件...
刘明刘欣姬濯宇商立伟谢常青李冬梅韩买兴陈映平王宏
文献传递
一种闭环式有机场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种闭环式有机场效应晶体管及其制作方法，属于有机电子学技术领域。所述晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有机半导体层和源漏电极层，其中源漏电极层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极的形状均为环形，且漏电极被包围在...
商立伟姬濯宇刘明
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基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件(英文)
2008年
采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性.将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8～5V,将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5～-4.4V,与通常的CuTCNQ器件相比较小.这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器.
涂德钰姬濯宇商立伟刘明王丛舜胡文平
关键词：双稳态开关
一种喷墨打印机
本发明提供了一种喷墨打印机，用于有机材料的微图形化加工，包括打印基底(1)，还包括：能够向所述打印基底(1)发射光波(3)以固化有机材料微图形的光固化装置(2)。本发明提供的喷墨打印机将原有的加热固化方式改进为光波照射的...
李冬梅刘明谢常青霍宗亮姬濯宇
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有机薄膜晶体管接触电阻模型
有机薄膜晶体管在未来柔性、低成本、大面积电子器件方面有很好的应用前景。但是，实验中发现，有机薄膜晶体管源漏电极与沟道之间存在着较大接触电阻，是影响有机薄膜晶体管性能的主要因素之一。本文运用传输线模型，来研究底栅顶接触和底...
王伟李泠姬濯宇卢年瑞王龙徐光伟刘明
关键词：有机薄膜晶体管接触电阻传输线模型
有机场效应晶体管存储器的编程方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中，在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照，这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流，从而可以提高有机场效应晶体管存储器的...
刘明王宏姬濯宇商立伟陈映平王艳花韩买兴刘欣
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