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夏银水

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：宁波师范学院更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇少子扩散长度
  • 1篇低温度系数
  • 1篇电阻
  • 1篇温度系数
  • 1篇扩散
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇薄膜电阻
  • 1篇PN结
  • 1篇P区
  • 1篇SIO
  • 1篇SPV
  • 1篇CR

机构

  • 2篇杭州大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇宁波师范学院

作者

  • 3篇夏银水
  • 2篇张秀淼
  • 1篇宋加涛
  • 1篇竺树声

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇杭州大学学报...

年份

  • 1篇1992
  • 2篇1991
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的测定
1992年
本文分析了用表面光压(SPV)法测量扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的可行性,给出了有效少子扩散长度L_0与结深x_i、扩散区及衬底少子扩散长度L_1、L_2的关系曲线;提供了一种确定扩散区少子扩散长度的方法。
夏银水张秀淼
关键词：少子扩散长度PN结半导体材料
关于“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文的讨论
1991年
最近我们收到杭州大学夏银水同志的来稿,对本刊1990年第3期发表的“制作低温度系数的Cr—SiO薄膜电阻的工艺探讨”一文提出了一些不同看法.为贯彻“百花齐放,百家争鸣”的方针,活跃刊物气氛,我们决定将夏银水同志的文章全文发表,以期有兴趣的同志对此展开讨论.
夏银水竺树声
关键词：低温度系数
全文增补中
用表面光压(SPV)法确定异型外延材料中的少子扩散长度
1991年
本文分析了用SPV法确定异型外延材料少子扩散长度的可行性,并对典型工艺参数,给出了有效少子扩散长度L_0与外延层厚度d、外延层及衬底少子扩散长度L_1、L_2的关系曲线.提供了一种确定外延层材料少子扩散长度的新方法.
夏银水宋加涛张秀淼
关键词：少子扩散长度
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共1页<1>
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