史忠旗
- 作品数：192 被引量：79H指数：5
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 多孔金属封装陶瓷复合防护板及其制备方法
- 多孔金属封装陶瓷复合防护板及其制备方法，该复合防护板包括至少一层陶瓷芯板，还包括将至少一层陶瓷芯板包裹并和其冶金结合为一体的多孔金属；其制备方法包括：1、制备陶瓷芯板；2、对陶瓷芯板进行表面金属陶瓷化处理；3、在陶瓷芯板...
- 刘桂武周重见乔冠军卢天健史忠旗王继平王红洁杨建锋
- 文献传递
- 一种非晶SiOC陶瓷粉体的制备方法
- 本发明公开了一种非晶SiOC陶瓷粉体的制备方法，包括以下步骤：1)将先驱体聚合物进行低温交联固化，再将交联固化后的产物破碎、过筛，得到先驱体颗粒；其中，所述先驱体聚合物为线型聚碳硅烷或线型聚碳硅烷与线型聚硅氧烷的混合物；...
- 王红洁马明波牛敏夏鸿雁史忠旗
- 文献传递
- 连接温度对W/Ni/Kovar真空扩散连接接头界面结构及结合强度的影响
- 2024年
- 以Ni箔为中间层材料,采用真空扩散连接方法进行W与Kovar合金的连接,研究了连接温度对W/Ni/Kovar接头界面结构和剪切强度的影响。结果表明:在520~1000℃范围内,利用真空扩散连接工艺均可成功制备出W/Ni/Kovar接头样品。随着连接温度的升高,Kovar/Ni界面与Ni/W界面的扩散层厚度逐渐增加,而接头剪切强度呈先上升后下降的趋势。当连接温度为800℃时,样品的接头剪切强度高达182 MPa,此时主要发生W块体的剪切断裂。
- 仵金玲刘思雨张彪魏智磊史忠旗
- 关键词：真空扩散焊剪切强度钨
- 一种制备三维亚微米级花状结构氮化铝的方法
- 本发明公开了一种快速制备半导体材料三维亚微米级花状结构氮化铝的方法，采用商用铝粉作铝源、氮化铝粉作稀释剂、氯化铵作催化剂，将原料球磨活化后在较低氮气气氛下进行燃烧合成，制备出的白色亚微米级花状结构氮化铝粉末。本发明首次利...
- 史忠旗王继平乔冠军金志浩杨建锋王红洁
- 前驱体法合成氮化铝纳米材料及其生长机制被引量：4
- 2020年
- 以尿素为固体氮源、AlCl3·6H2O为铝源,通过溶液反应合成金属络合物前驱体Al(CON2H4)6Cl3,前驱体经过1000℃煅烧,制备得到球形h-AlN纳米颗粒。研究了气氛压力及合成时间对AlN纳米颗粒形貌的影响及AlN的形核生长机制。结果表明:在0.1~0.2 MPa的N2压力下,球状AlN颗粒由<10 nm的等轴状细小晶粒与非晶相团聚而成,直径为320~460 nm;随着N2压力增至0.5 MPa,球状AlN直径增加至650 nm,团聚体中棒状AlN晶体出现,随着烧结时间延长,棒状晶尺寸增大,数量增加。AlN纳米颗粒由前驱体分解形成的AlCl3和NH3反应而成,随着N2压力增大,坩埚内气相饱和度增大,促进了AlN的形核与生长,使得非晶相含量减少,AlN结晶度提高。
- 李紫璇郝留成郝留成周小楠黄鑫史忠旗史忠旗杨建锋
- 关键词：氮化铝尿素前驱体氮气压力
- 氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺
- 本发明公开了一种氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺，其特征是，以片状石墨作基体，氮化铝作为增强相，均匀分布在石墨片层间，形成三维网状氮化铝骨架与定向排列的石墨片层相结合的各向异性结构；工艺上采用片状石墨颗粒、氮化铝粉体...
- 史忠旗张夏张晓钰夏鸿雁王继平王波王红洁杨建锋
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- 一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时，因大量烧结助剂的加入，而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题；该方法包括：采用氮化硅粉为...
- 王红洁樊磊史忠旗王继平夏鸿雁
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- 纳米TiO2陶瓷的低温快速制备
- 研究了在自行设计高压烧结组合模具的基础上，结合等离子快速烧结工艺，考察纳米TiO2陶瓷的低温快速制备。
- 刘桂武简文政史忠旗乔冠军
- 一种以高长径比晶须制备无晶间玻璃相β-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>多孔陶瓷的方法
- 一种以高长径比晶须制备无晶间玻璃相β‑Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>多孔陶瓷材料的方法，以α‑Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>为原料，Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3...
- 杨建锋史卓涛智强孙震宇王波王继平史忠旗
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- 氟化钙对常压烧结Si3N4/BN复相陶瓷结构与性能的影响被引量：1
- 2012年
- 以微米级Si3N4和h-BN粉末为原料,CaF2–Al2O3–Y2O3为烧结助剂,采用常压烧结工艺制备了BN体积含量为25%的Si3N4/BN复相陶瓷。研究了CaF2添加量对Si3N4/BN复相陶瓷材料力学性能的影响,并通过X射线衍射和场发射扫描电镜分析了复相陶瓷的物相组成和显微组织。结果表明:随着CaF2添加量增加,制备的Si3N4/BN复相陶瓷材料气孔率逐渐增大,收缩率变小,相对密度减小。添加量为2%(质量分数)时,Si3N4/BN复相陶瓷的室温抗弯强度达145.5MPa。添加适量的CaF2可在Si3N4/BN复相陶瓷材料常压烧结过程中较大程度地破坏h-BN的卡片房式结构,将微米级的h-BN颗粒变成纳米级颗粒。
- 李永锋刘萍刘桂武史忠旗乔冠军
- 关键词：六方氮化硼常压烧结
