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刘伟华

作品数：12 被引量：19H指数：2
供职机构：西北工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 5篇碲锌镉
  • 4篇晶体
  • 3篇籽晶
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶生长
  • 2篇电阻率
  • 2篇电阻率变化
  • 2篇生长面
  • 2篇碳膜
  • 2篇陶瓷
  • 2篇自补偿
  • 2篇碲锌镉晶体
  • 2篇温度
  • 2篇温度梯度
  • 2篇炉内
  • 2篇炉内温度场
  • 2篇耐火
  • 2篇耐火陶瓷
  • 2篇晶体生长
  • 2篇晶体生长过程

机构

  • 12篇西北工业大学

作者

  • 12篇王涛
  • 12篇介万奇
  • 12篇徐亚东
  • 12篇刘伟华
  • 4篇华慧
  • 4篇杨戈
  • 2篇张继军
  • 2篇白旭旭
  • 2篇查钢强
  • 2篇曾冬梅
  • 2篇傅莉
  • 2篇孙晓燕

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇机械科学与技...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制备大体积碲锌镉单晶的方法
本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，步骤如下：选择高熔点CZT单晶制作极性籽晶<111>或<211>；给石英安瓿内壁镀碳膜，将所述籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低...
介万奇徐亚东王涛华慧刘伟华
文献传递
垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法
本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬...
介万奇徐亚东王涛刘伟华杨戈张继军
文献传递
高电阻率碲锌镉晶体的制备方法
本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd<Sub>0.9</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为...
介万奇王涛徐亚东刘伟华华慧孙晓燕
文献传递
Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体的Al掺杂研究被引量：2
2009年
采用改进的垂直布里奇曼法（MVB）分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0．1Te晶体，并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下，Al掺杂晶体获得了6×10^9～2×10^10Ω·cm的高电阻率，呈弱P或弱n型导电；In掺杂晶体电阻率在10^5Ω·cm数量级，呈扎型导电；Al掺杂晶体在波数4000-500cm^-1范围内红外透过率平直且较高，而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低，在波数1250cm^-1处降至零。采用Al掺杂晶片制备的探测器对^241Am59．54keV射线的能量分辨率为14％，表明所生长Al掺杂晶体基本满足了探测器材料使用要求。
刘伟华介万奇王涛徐凌燕徐亚东
关键词：AL掺杂红外透过率
制备大体积碲锌镉单晶的方法
本发明公开了一种制备大体积碲锌镉单晶的方法，其特点是包括下述步骤：选择高熔点CZT单晶制作籽晶；给石英安瓿内壁镀碳膜，将籽晶放入安瓿底部的籽晶袋中，籽晶的引晶生长面朝上，再放入低熔点CZT多晶料，对石英安瓿抽真空并焊封；...
介万奇徐亚东王涛华慧刘伟华
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Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究
2007年
采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性受生长条件影响很大，沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明，高电阻晶体D^0X峰存在两个热激活能2．8meV和21meV，低电阻晶体A^0X热激活能为3．4meV。分析认为In掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。
王涛徐亚东刘伟华曾冬梅杨戈介万奇
关键词：自补偿ICP-MSPL谱
Cd0．9Zn0．1Te晶体中的In掺杂研究
采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了 In 在 CdZnTe 晶体中的分布及存在状态．浓度测试结果表明,In 的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化．对高...
王涛徐亚东刘伟华曾冬梅杨戈介万奇
关键词：自补偿ICP-MS
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籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体被引量：10
2006年
采用改进的垂直布里奇曼（MVB）法并引入籽晶生长技术，成功生长出直径60mm，单晶体积超过200cm^2的CdZeTe（CZT）晶锭。根据CZT晶片在近红外（NIR）波段的透过谱，由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量，进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1．30；分析了晶片在中红外波段内的红外透过率，发现波数在2000-4000cm^-1内透过率平直且较高，超过60％，而从2000cm^-1到500cm^-1随波数的减小透过率急速下降至零；由钝化后的Au／CZT晶片的I-V曲线，计算得到生长态C2T晶片的电阻率P达到1．8×10^9-2．6×10^10Ω·cm。
徐亚东介万奇王涛刘伟华
关键词：CDZNTE籽晶近红外光谱
室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备
Cd1-xZnxTe(CZT)探测器被认为是目前最有前途的室温核辐射探测器之一,广泛应用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。然而,由于CZT晶体生长过程中Cd元素的...
王涛徐亚东查钢强刘伟华徐凌燕白旭旭傅莉介万奇
文献传递
高电阻率碲锌镉晶体的制备方法
本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd<Sub>0.9</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为...
介万奇王涛徐亚东刘伟华华慧孙晓燕
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