2024年8月20日
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仇志军
作品数:
40
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复旦大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
文化科学
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刘冉
复旦大学
张世理
复旦大学
吴东平
复旦大学
李辉
复旦大学
陈国平
复旦大学
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仇志军
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刘冉
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2010
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一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于微电子及平板显示技术领域,具体为一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该金属氧化物薄膜晶体管包括基底、栅极、栅极绝缘层、源/漏电极、半导体沟道层以及钝化层,在半导体沟道层与钝化层之间有自组装的单分子层;该自组装...
繁萌
李辉
瞿敏妮
仇志军
刘冉
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自对准的隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明属于微电子技术领域,具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单,形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性,而且其源极和...
吴东平
张世理
王鹏飞
仇志军
张卫
采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明属于半导体器件制造技术领域,具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层;利用在反应温度条件下在所述石墨烯层...
张有为
仇志军
陈国平
陆冰睿
刘冉
文献传递
一种肖特基隧穿晶体管的制备方法
本发明属于半导体器件技术领域,具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法,该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅...
吴东平
张世理
王鹏飞
仇志军
张卫
文献传递
基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法
本发明属于二维半导体材料技术领域,具体为基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法。本发明以硅片作为生长衬底,在衬底经过清洗之后,将其置于石英试管中在含硫蒸气的环境下进行硫化处理,接着采用化学气相沉积的方法制备单层二硫化...
丛春晓
杨鹏
仇志军
刘冉
文献传递
基于近红外光谱分析的蔬菜水果农药化肥残留检测装置及检测方法
本发明属于食品卫生安全检测技术领域,具体为一种基于近红外光谱分析的蔬菜水果农药化肥残留检测装置及检测方法。本发明装置包括光源、单色仪、探测器以及数字信号处理系统;光源用于产生特定波长的辐射光束,辐射光束经过探测器探头照射...
孟延
刘冉
仇志军
文献传递
一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法
本发明属于微电子技术领域,具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区,所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属...
吴东平
张世理
葛亮
仇志军
文献传递
一种基于金属相MoTe<Sub>2</Sub>的宽光谱InGaAs探测器及其制备方法
本发明属于光电探测技术领域,具体为一种基于金属相MoTe<Sub>2</Sub>的宽光谱InGaAs探测器及其制备方法。本发明的制备方法包括:InP衬底上生长n型InP缓冲层;在n型InP层上生长本征InGaAs层;在I...
曹高奇
仇志军
丛春晓
陈镜
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一种适用于金属薄膜材料的3omega热导测量方案
本发明属于微电子技术领域,具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型,利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性,通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实...
宗兆翔
刘冉
仇志军
沈臻魁
一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片
本发明属于探测器芯片技术领域,具体为一种石墨烯基紫外至近红外InGaAs探测器芯片。本发明InGaAs探测器芯片在其磷化铟(InP)衬底之上结构依次为:InP接触层、InGaAs吸收层、氧化硅(SiO<Sub>2</Su...
曹高奇
仇志军
丛春晓
邵秀梅
李雪
胡来归
龚海梅
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