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高桥芳浩

作品数：2 被引量：2H指数：2
供职机构：东京大学工学部更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇调制器
  • 2篇行波调制
  • 2篇行波调制器
  • 2篇砷化镓
  • 2篇集成光学
  • 2篇光学
  • 2篇GAAS/G...
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇光波
  • 1篇光波导调制器
  • 1篇GAALAS
  • 1篇波导
  • 1篇波导调制器

机构

  • 2篇东京大学
  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇多田邦雄
  • 2篇杨建义
  • 2篇高桥芳浩
  • 2篇王明华
  • 2篇周强

传媒

  • 2篇光学学报

年份

  • 2篇1997
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器:1.设计被引量：2
1997年
从理论上重点分析和研究了器件行波电极的微波特性，在半绝缘ＧａＡｓ衬底上设计了具有ｎ＋重掺杂外延层和共平面电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型行波调制器。针对实验中发现的行波电极上微波的高传输损耗问题，分析了起因并提出了器件的改进设计方案。
杨建义周强吴志武吴通锡王明华高桥芳浩多田邦雄
关键词：GAALAS行波调制器集成光学砷化镓
GaAs/GaAlAs定向耦合器型行波调制器Ⅱ.实验被引量：2
1997年
在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型行波调制器实验。建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳结构参数，完成器件的制作。器件采用共平面行波电极，击穿电压２８Ｖ。用１．０６μｍＹＡＧ激光器进行测试，开关电压８．５Ｖ。由微波网络分析仪测试器件行波电极的微波特性，测得电极中微波与波导中光波间的速率失配小于３％，且在３０ＧＨｚ下，微波传输损耗小于３０ｄＢ。
杨建义周强吴志武吴通锡王明华王明华多田邦雄
关键词：光波导调制器集成光学砷化镓镓铝砷
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