韩荣典
- 作品数：83 被引量：109H指数：6
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院近代物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院院长基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学核科学技术一般工业技术电气工程更多>>
- 低能As^+注入Si(100)产生缺陷的研究被引量：1
- 1998年
- 介绍了用慢正电子束探针研究Ａａ＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷清除效应的结果。用正电子的Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺陷的各种信息。实验结果表明，１５°小角度注入产生的缺陷浓度比６０°注入的要大，而且两者的缺陷类型也不同；
- 翁惠民黄千峰杜罡韩荣典
- 关键词：离子注入退火砷离子
- 多路望远镜系统中的电子学和粒子分辨技术
- 1997年
- 本文介绍了多路望远镜系统中的电子学系统和在测量（ｎ，Ｘ）核反应双微分截面实验中所使用的粒子分辨技术。该系统除了用能损ΔＥ谱和脉冲形状分辨ＰＳＤ谱来鉴别粒子外，还使用二维粒子分辨技术即用Ｅ－ΔＥ、Ｅ－ＰＳＤ和ΔＥ－ＰＳＤ等谱来联合鉴别粒子，取得了极好的分辨效果。
- 叶邦角虞孝麒范扬眉王忠民金曙光韩荣典杜淮江
- 关键词：快中子核反应
- 慢正电子束研究N^+注入金属镍中生成的缺陷
- 1993年
- 用慢正电子束配合多普勒湮没能谱测量技术研究N^+离子注入镍样品产生的缺陷。由未注入的样品得到了正电子在镍中的扩散参数E_0=4.6keV。比较两个样品的S参数随入射正电子能量变化的曲线给出了95keV、6.4×10^(17)/cm^2剂量的N^+注入镍样品所产生的缺陷分布;缺陷由表面一直延伸到190nm,浓度最大的区域在27—110nm。这些都与由Trim程序的Monte Carlo模拟计算的结果很好地符合。
- 韩荣典翁惠民徐纪华郭学哲林成鲁俞耀辉
- 关键词：离子注入镍
- Fe_3O_4-C核壳型纳米纤维的正电子研究被引量：1
- 2009年
- 利用正电子手段研究新型多功能材料Fe3O4-C纳米管核壳结构纳米纤维的内部电子结构,通过测量和分析正电子湮没寿命谱和符合双多普勒展宽谱,发现在这种材料中部分正电子在Fe3O4内部的单空位中发生湮灭,部分正电子在Fe3O4的微空洞中发生湮灭,部分正电子在壳层碳纳米管中湮灭.并估算了各个部分的湮灭比例,在一定程度上揭示了Fe3O4-C核壳型纳米纤维内部的微观电子结构.
- 熊涛高传波陈祥磊周先意翁惠民曹方宇叶邦角韩荣典杜淮江
- 关键词：正电子纳米纤维
- 慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究被引量：3
- 2005年
- 利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(VO,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系。结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种缺陷类型,O空位(VO)和Zn填隙(Zni)可能是材料中主要缺陷。PO2>70%时,这些ZnO样品中缺陷以Zn空位(VZn)为主。随着反应室中O2含量的增加,样品的Zn空位(VZn)浓度逐渐增加;当PO2为85%时,与正电子湮没的VZn数目减少,可能是杂质原子对VZn屏蔽引起的结果;PO2低于50%,材料中H原子数目相对较多,H原子会与晶格中的悬挂键结合,和存在同种缺陷的其它样品相比,这时能与晶格原子悬挂键湮没的正电子数目要减少很多。随着O2含量增加,VZn浓度逐渐变大,VO和Zni浓度相应减小,这些变化与光致发光谱(Photoluminescence,PL)反映的实验结果相吻合。
- 彭成晓翁惠民杨晓杰叶邦角周先意韩荣典
- 关键词：ZNO氧含量
- He^+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究
- 2001年
- 用慢正电子束探针测量了经剂量为 5× 10 16cm-2 的 140keVHe+ 注入的Si(10 0 )单晶S参数与正电子入射能量的关系 ,得到了注入产生缺陷的分布规律 ,发现近表面区域损伤不大 ,缺陷主要是直径小于 1nm的空位或空位团 ,较深的射程末端区域损伤严重 ,缺陷主要是微空洞和微气泡。对退火效应的研究表明 ,低温下退火空位缺陷得到了很好的消除 ,而高温下退火微空洞和微气泡发生融合 。
- 张天昊翁惠民范扬眉杜江峰周先意韩荣典张苗林成鲁
- 关键词：S参数退火效应无损检测慢正电子束
- 用电子枪调试脉冲慢正电子束线
- 慢正电子脉冲束装置是目前国际上最先进的正电子淹没技术之一,它能用于薄膜材料的正电子寿命以及表层结构的研究,弥补了常规正电子湮没技术的不足。中国科学技术大学自
- 张丽娟张杰李强成斌刘建党翁惠民韩荣典叶邦角
- 关键词：MCP
- 介孔复合材料SiO<,2>/Ag的正电子谱分析的初步结果
- 本文首先介绍了有关介孔复合体这一凝聚态和材料科学的新兴课题的概况,以及正电子谱学作为研究材料缺陷的一种有效手段在探测介孔材料纳米量级微孔洞的应用.实验中首先对掺银多孔硅SiO<,2>/Ag样品进行了寿命谱的测量,并利用长...
- 韩荣典白玉范扬眉周先意翁惠民叶邦角张宪锋石星军
- 关键词：介孔复合材料正电子寿命谱S参数
- 文献传递
- 不锈钢在14.6MeV中子轰击下质子发射的能谱和角分布
- 1997年
- 描述了用多路望远镜系统测量不锈钢在快中子辐照下质子发射的双微分截面,所测量的16个反应角的范围为25°—165°,平均角分辨约为12°.并由此得到了出射质子的能谱、角分布和总发射截面.
- 范扬眉叶邦角王忠民韩荣典虞孝麒杜淮江肖振喜
- 关键词：不锈钢双微分截面反应堆材料
- 慢正电子束研究薄膜、界面和近表面微观结构被引量：7
- 2000年
- 慢正电子束技术是近十几年来发展起来的探测材料近表面微结构的新手段 .文章介绍了其在薄膜。
- 翁惠民周先意叶邦角杜江峰韩荣典
- 关键词：慢正电子束
