- 两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路的保护方法
- 一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，电路包括电流变化探测电路，电流探测电路，软关断保护电路和降栅压保护电路，电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电...
- 钱钦松刘斯扬霍昌隆崔其晖孙伟锋陆生礼时龙兴
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- 200V宽SOA SOI-LDMOS设计及评估
- 绝缘体上硅(Silicon on Insulator，SOI)横向双扩散场效应晶体管(Lateral Double-diffusedMOSFET，DMOS)具有耐压高、驱动电流能力强、开关速度快等优点，已在等离子显示器(...
- 霍昌隆
- 关键词：等离子体平板显示器电热耦合
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- 一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法
- 一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，电路包括电流变化探测电路，电流探测电路，软关断保护电路和降栅压保护电路，电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电...
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- 一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件
- 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层，Ⅰ区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面...
- 时龙兴钱钦松霍昌隆孙伟锋陆生礼
- 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法
- 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，保护电路包括电压探测电路，电流探测电路，软关断保护电路，降栅压保护电路，其中，电压探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接...
- 钱钦松刘斯扬霍昌隆崔其晖孙伟锋陆生礼时龙兴
- 一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件
- 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层，Ⅰ区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面...
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- 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法
- 一种绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，保护电路包括电压探测电路，电流探测电路，软关断保护电路，降栅压保护电路，其中，电压探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接...
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- SOI-LDMOS器件改善电安全工作区后驼峰现象的研究被引量：1
- 2012年
- 研究了高压SOI-LDMOS器件在引入P-sink结构改善电安全工作区(E-SOA)后I-V特性曲线呈现的驼峰现象(hump)。首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析,确定高栅压下电子电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因,进而通过仿真分析出Kirk效应导致的空穴电流在表面漂移区中电导调制是驼峰现象产生的根本原因。最后,根据对驼峰现象的分析,设计出新器件结构成功消除了驼峰现象,为今后不同类型LDMOS器件改善I-V曲线驼峰现象提供了理论指导。
- 霍昌隆刘斯扬钱钦松孙伟锋
- 关键词：电导调制
- SOI-LIGBT器件正偏安全工作区的研究被引量：2
- 2012年
- 研究了高压SOI-LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区(FBSOA)的绘制方法。首先,分别提取器件的热阻与热容,并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗,进而根据热阻抗与最大允许功率之间的关系,获得直流与脉冲条件下的正偏安全工作区。同时,还对其二次击穿边界与安全工作区的相互关系做了进一步分析,为更加准确地确定高压LIGBT器件的单脉冲安全工作区提供理论指导。
- 霍昌隆刘斯扬钱钦松
- 关键词：热阻热容电热耦合
- 一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件
- 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域I和II的P型外延层，I区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表...
- 时龙兴钱钦松霍昌隆孙伟锋陆生礼
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