郭育源
- 作品数：14 被引量：19H指数：3
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- A RESEARCH ON THE MEDIUM TEMPERATURE SINTERED BaTiO_3-BASE CERAMIC MATERIAL FOR MLC WITH X7R BEHAVIOR
- 1997年
- 采用加入Ｂｉ２Ｏ３＿ＰｂＯ＿ＺｎＯ玻璃及Ｂｉ、Ｃｏ、Ｎｂ掺杂的方法，使ＢａＴｉＯ３基铁电瓷料中温烧结（１０８０～１１４０℃）。在实验结果的基础上，探讨Ｘ７Ｒ铁电瓷料中的第二相和晶粒尺寸对ＭＬＣ的ε＿ｔ性能的影响，并研究其烧结机制。
- 孙目珍江涛陈绍茂郭育源刘会冲
- 关键词：中温烧结
- 速热高效正温度系数恒温电烙铁
- 速热高效PTC恒温电烙铁是电器工具。它用高质PTC材料制成的具有双重抗老化欧姆接触电极的体积小、重量轻的侧向电场模式的PTC发热器；采用高质有机-无机材料制成的部件及填料；具有高绝缘良好传热结构、配备能简易更换的系列化专...
- 郑锦清郭育源
- 文献传递
- 制造冰箱起动器材料的方法
- 本发明是一种制造冰箱起动器PTC材料的方法，它属无机电子功能材料中有关半导体电子陶瓷材料。本发明克服了现有外国专利技术对原料。工艺等的苛刻要求，能用国产标称纯度原料及一般工艺设备，且不需采用稀有贵重金属铪、钌或其氧化物就...
- 陈亿裕郭育源夏继红谢少冬
- 文献传递
- 中温烧结BaTiO_3基多相铁电瓷料X7R特性被引量：10
- 1996年
- 采用铋钛低熔物降低ＢａＴｉＯ３基资料的烧结温度。当加入量约０．０５ｍｏｌ时，可实现中温烧结，此过程存在过渡液相烧结。改性添加物Ｌａ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等在固－液烧结过程中溶－析及Ａ、Ｂ位缺位补偿因溶，使主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成“核－壳”结构。从ε－Ｔ特性和微观结构分析，探讨了不均匀分布的ＢａＴｉＯ３基多相铁电瓷料具有Ｘ７Ｒ特性的机制。
- 江涛陈绍茂郭育源孙目珍
- 关键词：中温烧结核-壳结构玻璃相
- 一种脚底保健按摩器
- 本实用新型属于物理疗法器械，具体地说是一种对人体脚底部各器官的神经反射带、穴位、经络进行刺激按摩的保健器具。它的具体结构是：微电机(1)和偏心轮(2)通过振动联接机构(6)与振动板(3)相连，振动板(3)与散热板(12)...
- 郭育源谭雄发
- 文献传递
- CSBT-BNT-NT系高介瓷料α_ε系列化的研究被引量：2
- 2000年
- 进行了具有高介电常数的 (Ca,Sr,Ba) Ti O3(CSBT) - Ba6 - 3x Nd8+ 2 x Ti1 8O5 4 (BNT) - Nd2 Ti2 O7(NT)系瓷料介电常数温度系数 (αε)系列化的研究 ,采用多相混合控制技术 ,按李赫涅德凯混合法则 ,调整该三元系瓷料αε系列。研制的瓷料介电性能 :εr=90～ 15 0 ;tgδ( 2 0℃ ,1 MHz) ≤ (0 .5～ 5 .0 )× 10 - 4 ;αc( - 2 5～ + 85℃ ) =((0～ - 75 0 )± 6 0 )× 10 - 6℃ - 1 ;ρv( 2 0℃ ,DC 1 0 0 V) ≥ 10 1 2 Ω· cm。
- 江涛郭育源江丽君
- X7R抗还原片式电容器介质材料
- 卢振亚欧明江涛杨成锐郭育源陈爱东江丽君郭海明王作华王孝东付振晓申妍华
- 采用国产原材料研制的X7R抗还原片式电容器介质材料适合与镍内电极材料在还原气氛中共烧，适合制作厚度小至10微米的介质膜，采用所研制材料制作的镍电极片式电容器各项性能指标达到有关标准(GB/T2693-2001和GB/T9...
- 关键词：
- 关键词：片式电容器介质材料性能指标
- 制造冰箱起动器材料的方法
- 本发明是一种制造冰箱起动器PTC材料的方法，它属无机电子功能材料中有关半导体电子陶瓷材料。本发明克服了现有外国专利技术对原料，工艺等的苛刻要求，能用国产标称纯度原料及一般工艺设备，且不需采用稀有贵重金属铪、钌或其氧化物就...
- 陈亿裕郭育源夏继红谢少冬
- 文献传递
- 中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr－T特性的影响被引量：6
- 1996年
- 含低熔物Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶－析和缺位补偿固溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相。这种非均匀结构对铁电相的制约作用。
- 江涛陈绍茂郭育源
- 关键词：钛酸钡陶瓷中温烧结电工陶瓷
- 三价阳离子固溶的(Sr,Ca)TiO_3基瓷的缺位结构与介电性能被引量：1
- 2001年
- 探讨三价阳离子（Mx3+=Sb，Y，Nd，La，x=0.02～0.06）固溶于（Sr,Ca）TiO3瓷晶相中，产生缺位补偿的A缺位（VA）点缺陷结构及其介电性能关系。A缺位浓度[VA]取决于M3+的A位或B位取代情况，M3+只取代A位[（Sr,Ca）1-xMx（VA）x/2]TiO3,或M3+只取代B位[（Sr,Ca）1-x/2（VA）x/2]（Ti1-xMx）O3,产生A缺位浓度[VA]较大，对其瓷料介电性能影响较明显；M3+同时取代A和B位[（Sr,Ca）]1-x1Mx1]（Ti1-x2Mx2）O3，由于电价补偿，产生A缺位浓度[VA]较小，因而对其瓷料介电性能影响较小。
- 江涛郭育源江丽君邹琼谭小球魏群
- 关键词：固溶体介电性能钛酸
