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郭奥

作品数：84 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 83篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 15篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 28篇晶体管
  • 19篇纳米
  • 17篇碳纳米管
  • 17篇纳米管
  • 14篇存储器
  • 13篇漏极
  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 12篇电路
  • 11篇图像
  • 10篇源极
  • 9篇电容
  • 9篇阵列
  • 9篇阵列结构
  • 8篇单壁
  • 8篇电阻
  • 8篇子电路
  • 8篇刻蚀
  • 8篇半导体

机构

  • 84篇上海集成电路...
  • 25篇成都微光集电...
  • 2篇上海集成电路...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇上海华虹(集...

作者

  • 84篇郭奥
  • 18篇胡少坚
  • 14篇李琛
  • 13篇周伟
  • 11篇任铮
  • 6篇陈寿面
  • 6篇刘林林
  • 6篇段杰斌
  • 4篇袁伟
  • 4篇王全
  • 4篇李铭
  • 2篇赵宇航
  • 2篇康晓旭
  • 1篇忻佩胜
  • 1篇卢意飞
  • 1篇胡正军
  • 1篇石艳玲
  • 1篇王莎

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 3篇2025
  • 2篇2024
  • 10篇2023
  • 5篇2022
  • 10篇2020
  • 8篇2019
  • 10篇2018
  • 8篇2017
  • 7篇2016
  • 7篇2015
  • 8篇2014
  • 6篇2013
共 84 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高小波去噪效果的图像预处理方法
本发明公开了一种提高小波去噪效果的图像预处理方法，包括以下步骤：步骤S01：计算含噪图像中目标区域的像素特征值；步骤S02：将所述目标区域的像素特征值与预设阈值相比较，判断目标区域类型；步骤S03：根据所述目标区域类型，...
周涛王修翠李琛王鹏飞余学儒段杰斌方宇傅豪郭奥
文献传递
一种柔性有源应变或压力传感器结构及制备方法
本发明公开了一种柔性有源应变或压力传感器结构及制备方法，利用碳纳米管晶体管作为柔性有源场效应晶体管，采用柔性压电薄膜材料制备压电式的应变或压力传感器单元，并将压电传感器与有源场效应晶体管的栅极进行工艺集成，从而将压电传感...
郭奥胡少坚周伟
文献传递
一种TaO<Sub>x</Sub>的沉积方法
本发明公开了一种TaO<Sub>x</Sub>的沉积方法，包括：提供具有无氧环境的沉积腔，沉积腔中设置有Ta靶和沉积对象；通入足量的第一惰性气体；在启辉前，再通入流量小于第一惰性气体流量的适量氧气，并立即启辉，使Ta靶表...
顾文炳郭奥
以碳纳米管为掩膜制备鳍形结构的方法
本发明提供一种以碳纳米管为掩膜制备鳍形结构的方法，包括：提供一个半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层，在介质层上平行排列一维碳纳米管阵列结构；利用碳纳米管平行阵列结构做掩膜层，在介质层中形成沟槽阵列结构；在沟槽阵列结构中...
郭奥任铮胡少坚周伟
一种刻蚀图形的分析系统及方法
本发明公开的一种刻蚀图形的分析方法，包括如下步骤：S01：形成截面预测模型；S02：将待分析晶圆的表面形貌图输入所述刻蚀图形分析系统中，采用图像提取算法分别对待分析晶圆的表面形貌图中的白边图形进行数据提取，得出待分析晶圆...
郭奥康晓旭
文献传递
一种柔性有源压力传感器结构及制备方法
本发明公开了一种柔性有源压力传感器结构及制备方法，利用柔性压阻材料制备柔性有源场效应晶体管的源漏电极，用于实现压力传感器单元结构，并利用半导体性单壁碳纳米管作为沟道材料构建柔性有源场效应晶体管，用于实现压力传感信号的读取...
郭奥胡少坚周伟
文献传递
一种三维CMOS集成电路的制备方法
本发明公开了一种三维CMOS集成电路的制备方法，通过将底部悬空的MOS器件转移至目标器件上方，可实现不同MOS器件之间的三维堆叠，进一步通过制备互连通孔可实现三维CMOS集成电路，所采用的制备工艺可与目前平面CMOS电路...
郭奥胡少坚周伟
MOS晶体管有效沟道长度测试结构及测试方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MOS晶体管有效沟道长度测试结构和测试方法，通过对掺杂条件完全相同的PN结第一测试单元和MOS晶体管第二测试单元的结电容测量，准确提取MOS晶体管有源区掺杂的横向扩散长度，进而准确测量...
郭奥
文献传递
阻变存储器及其制备方法
本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，包括：衬底、绝缘介质层、底电极连接线和阻变核心图形，其中衬底中形成有第一底电极，绝缘介质层位于衬底上，底电极连接线纵向贯穿绝缘介质层，底电极连接线的部分下表面与第一底电极接触以进行...
冯高明王萌郭奥李琛胡正军
一种阻变存储器单元结构及制备方法
本发明公开了一种阻变存储器单元结构，由相并联的一第一晶体管和一第二晶体管，以及与所述第一晶体管和所述第二晶体管共同连接的一阻变单元组成；其中，所述第一晶体管设有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极用于施加第一控制信...
郭奥
文献传递
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