郝天亮
- 作品数：8 被引量：29H指数：4
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信一般工业技术更多>>
- 金刚石粉悬浮液超声预处理促进金刚石成核特性研究被引量：2
- 1997年
- 本工作发展了一种金刚石粉悬浮液超声预处理方法，有效地促进了各种衬底材料特别是绝缘材料上金刚石膜的成核，大大提高成核密度，使硅和石英玻璃上金刚石晶粒密度分别达到1010和109cm－2，并使成核的孕育期缩短到5分钟，获得了连续的超薄金刚石膜。本文同时提出了这种预处理方法促进成核的机理。
- 郝天亮石成儒曾耀武邱东江
- 关键词：金刚石膜超声预处理悬浮液
- SiO_2薄膜的微观结构与驻极体特性的相关性研究被引量：5
- 2014年
- SiO2驻极体具有优异的电荷储存能力,其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点,一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性,发现PECVD方法制备的SiO2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的SiO2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明,其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成,颗粒间存在大量无序度较高的界面,由此产生的"界面陷阱"是导致PECVD制备的SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。
- 郝天亮陈钢进
- 关键词：驻极体SIO2薄膜微观结构PECVD电子束蒸发
- 几种低压气相沉积技术制备立方氮化硼膜的新进展被引量：4
- 2000年
- 介绍了 ｃ－ＢＮ的优异特性及应用前景。评述了 ｃ－ＢＮ膜的几种低压物 理气相沉积（ＰＶＤ）和低压化学气相沉积（ＣＶＤ）制备方法，分析其成膜特点及对ｃ－ ＢＮ形成有显著影响的工艺参数。介绍了当前ｃ－ＢＮ膜研究取得的成果，对如何提 高成膜质量提出了自己的一些看法。
- 邱东江郝天亮石成儒
- 关键词：PVDCVD氮化硼薄膜镀膜
- 热丝化学气相沉积法在CH_4/H_2混合气体中低温生长超薄纳米金刚石膜(英文)被引量：7
- 2006年
- 用热丝化学气相沉积方法研究了低温（-550℃）和低反应气压（-7 Torr）下硅片上金刚石膜的成核和生长．成核过程中采用2．5％的CH。浓度，在经充分超声波预处理的硅片上获得了高达1．5×10^11cm^-2的成核密度．随CH4浓度的增加所成膜中的金刚石晶粒尺寸由亚微米转变到纳米级．成功合成了表面粗糙度小于4nm、超薄（厚度小于500nm）和晶粒尺寸小于50nm的纳米金刚石膜．膜与衬底结合牢固．膜从可见光至红外的光吸收系数小于2×10^4cm^-1．用我们常规的HFCVD技术，在低温度和低压下可以生长出表面光滑超薄的纳米金刚石膜．
- 张衡郝天亮石成儒韩高荣
- 关键词：热丝化学气相沉积超声波预处理
- 石英玻璃上生长表面光滑高光透射率的金刚石膜
- 2004年
- 石英玻璃衬底在金刚石粉和丙酮形成的悬浮液中超声波预处理 ,有效提高了金刚石成核密度。在最佳预处理和热丝化学气相沉积条件下 ,成核密度高达 10 10 cm-2 以上。采用HFCVD中四步法生长工艺 ,制备出了表面粗糙度小于 10nm、膜厚 30 0nm、晶粒直径 10 0nm～ 15 0nm、致密、均匀、高质量和高光透射率的金刚石膜 ,其 1μm～ 5 μm波段的光透射率达 74 %～85 %。金刚石膜与石英玻璃衬底结合牢固 ,膜中无裂纹。
- 郝天亮石成儒韩高荣
- 关键词：金刚石膜石英玻璃膜厚表面光滑热丝化学气相沉积
- 金刚石膜成核特性及表面光滑超薄金刚石膜制备研究
- 金刚石具有优异的特性,在许多方面都优于其他材料,如超硬,高热导率(室温下是铜的五倍),高的电子迁移率(优于Si和GaAs),高的抗腐蚀和抗放射辐照能力,在很宽的范围内有良好的光透性,掺杂后可以成为半导体,因而在机械、光学...
- 郝天亮
- 关键词：金刚石膜
- 热丝化学气相沉积制备超薄纳米金刚石膜研究
- 纳米金刚石膜(NDF)不但具有多晶金刚石膜优异的物理化学特性,而且由于它由纳米金刚石晶粒组成,因而容易生成表面光滑、均匀、连续的超薄膜,无须抛光处理即可用作机械和光学器件的保护膜、机械部件的抗摩擦磨损膜,用于制造纳米器件...
- 郝天亮
- 关键词：金刚石膜纳米金刚石超声波气相沉积
- 氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究被引量：7
- 2002年
- 本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形态 ,用紫外—可见光分光光度计 (UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征 ,并确认薄膜样品的光学能隙。此外 。
- 祁英昆张溪文郝天亮董博沈鸽杜丕一翁文剑赵高凌韩高荣
- 关键词：氮化硼紫外吸收半导体材料
