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辛红

作品数：9 被引量：20H指数：2
供职机构：西安建筑科技大学理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省科技攻关计划更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 4篇界面能
  • 2篇嵌入原子法
  • 2篇PZT
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光粉
  • 1篇上转换荧光
  • 1篇扭转角
  • 1篇取向度
  • 1篇热力学
  • 1篇助熔剂
  • 1篇转角
  • 1篇相结构
  • 1篇敏感度
  • 1篇蓝色荧光粉
  • 1篇缓冲层
  • 1篇各向异性
  • 1篇各向异性研究
  • 1篇功率
  • 1篇光强
  • 1篇光强度

机构

  • 6篇西安建筑科技...
  • 4篇陕西师范大学
  • 2篇西安工程大学
  • 2篇江西理工大学
  • 1篇长安大学

作者

  • 9篇辛红
  • 3篇张建民
  • 2篇王晓娟
  • 2篇苏未安
  • 2篇王艳阳
  • 2篇魏秀梅
  • 1篇吴俊芳
  • 1篇冯小娟
  • 1篇张翔宇
  • 1篇高当丽
  • 1篇宗彦峰
  • 1篇刘长菊

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇陕西师范大学...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇西安工程科技...
  • 1篇西安工业大学...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
Sr(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3缓冲层厚度对PZT薄膜结晶及性能的影响被引量：1
2010年
采用sol-gel法制备了具有Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层的PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜,研究了缓冲层厚度对样品结晶和性能的影响。结果表明,较薄缓冲层会诱导PZT薄膜的(111)择优取向,添加单层缓冲层(约20nm)使其(111)取向度提高到90%;较厚缓冲层会抑制PZT薄膜的(111)择优取向,添加四层缓冲层(约80nm)使其(111)取向度降低到9%;缓冲层厚度对样品电性能有显著影响,其剩余极化强度由无缓冲层时的26.8×10–6C/cm2增加到缓冲层厚度约为20nm时的38.8×10–6C/cm2。
辛红刘长菊王艳阳苏未安
关键词：PZT薄膜取向度
表面和界面效应对纳米晶粒尺寸的影响被引量：1
2004年
应用热力学方法,讨论了非晶晶化法制取纳米晶体时所得最小晶粒与晶化温度的关系.发现当退火温度为物体熔点的1/2时,可制得最小晶粒,而在此温度下,过冷液体与晶体之间的Gibbs自由能之差达到最大值.考虑到样品较薄时较为明显的表面效应,计算了金属样品厚度对晶粒最小尺寸的影响.结果表明,晶粒的最小限度不仅受晶化过程中自由能差的影响,还与晶体厚度有关.样品厚度越小,对生成的最小晶粒尺寸影响越大.
魏秀梅宗彦峰辛红张建民
关键词：热力学
用MAEAM法计算Ag/Ni的界面能被引量：9
2005年
采用改进分析型嵌入原子法计算了Ag( 111) Ni( 0 0 1)和Ag( 0 0 1) Ni( 111)扭转界面的能量 ,结果表明 :对Ag( 111) Ni( 0 0 1)界面 ,当扭转角等于 0°(或 30°)时界面能最小 ,这一择优扭转角取向和Gao等人的实验结果一致 ;同样 ,对Ag( 0 0 1) Ni( 111)界面 ,当扭转角等于 0°(或 30°)时界面能最小 ;从界面能最小化考虑 ,Ag( 0 0 1) Ni( 111)扭转界面的择优扭转角也为 0°(或 30°) .
张建民辛红魏秀梅
关键词：嵌入原子法界面能
膜-基界面的结构表征及能量计算
文采用重合位置点阵(CSL)的方法表征了Ag、Au、Al和Cu四种面心立方(FCC)金属的(001)、(011)和(111)取向的半无穷大晶体分别与Si的(001)和(111)取向的半无穷大晶体构成的扭转界面的结构，并应...
辛红
关键词：界面能嵌入原子法
文献传递
Au/Si扭转界面能各向异性研究
2007年
采用改进型嵌入原子法(modifiedembedded atom method,MEAM),计算了(001)Au/(111)Si、(011)Au/(111)Si、(111)Au/(111)Si、(001)Au/(001)Si、(011)Au/(001)Si、(111)Au/(001)Si六个扭转界面的界面能.结果表明,不论是对于(111)Si还是(001)Si基底,相同基底的界面均按照(111)Au/Si、(001)Au/Si、(011)Au/Si顺序依次增加;从界面能的最小化考虑,Au在(111)Si或(001)Si基底上的外延生长,Au(111)面为择优晶面,择优扭转角分别为θ=2.68°和θ=2.42°.
辛红张建民
关键词：界面能
Ag/(001)Si扭转界面能的各向异性分析
2007年
为了研究膜-基界面对薄膜中晶粒生长以及性能的影响,采用改进嵌入原子法(Modified Embedded Atom Method,MEAM)计算了(001)Ag/(001)Si、(011)Ag/(001)Si、(111)Ag/(001)Si扭转界面的界面能,结果表明:界面能按照(111)Ag/(001)Si,(001)Ag/(001)Si,(011)Ag/(001)Si的顺序依次增加;从界面能的最小化考虑,Ag的(111)面为择优晶面,择优扭转角为θ为8.16°.
辛红王晓娟
关键词：界面能扭转角
助熔剂对BaM∶Eu^(2+)蓝色荧光粉形貌和发光强度的影响被引量：8
2007年
采用高温固相法制备了三基色荧光灯用Ba MgAl10O17∶Eu2+(BAM∶Eu2+)蓝色荧光粉,考察了助熔剂对BAM∶Eu2+物相纯度、粉体颗粒形貌和发光强度的影响.通过X射线衍射、扫描电子显微镜和荧光光谱等手段,研究了样品的物相、形貌和发光强度.结果表明,以AlF3、BaF2和NaF为助熔剂的样品相对于以LiCl、NH4Cl和未加助熔剂的样品更有利于BAM∶Eu2+的生成;采用适当的助熔剂可以得到不同形状的荧光粉颗粒;在254nm的紫外线激发下,使用不同种类助熔剂样品的发射光谱强度由强到弱依次为AlF3、BaF2、NaF、LiCl、未加助熔剂和NH4Cl.对不同助熔剂作用下BAM∶Eu2+样品的发光强度发生变化的原因进行了分析.
王晓娟辛红吴俊芳
关键词：助熔剂相结构发光强度
Yb浓度对功率依赖的上转换荧光色彩的敏感度调控
2018年
控制激发光功率密度是一种调控红绿荧光比率的简单方法.然而,大多数上转换系统对功率的调控并不敏感.本文通过柠檬酸钠辅助的水热法,合成了一系列具有不同Yb浓度掺杂的NaYF_4:Yb/Ho微米棒.通过激光共聚焦显微镜系统,研究了Yb浓度和激发功率密度依赖的NaYF_4:Yb/Ho微米棒的上转换荧光特性.发射谱和同步荧光成像图案表明:荧光红绿比率不仅敏感于激发功率,而且敏感度依赖于Yb浓度.随着Yb浓度的增加,功率调控的红绿比率的敏感度增加,这暗示了功率调控的红绿比率的敏感度可以作为一种度量和评估Yb掺杂浓度的有效途径和方法.通过上/下转换发射谱、激发谱和功率依赖关系,揭示了功率调控红绿比率的机理,并提出了荧光色彩敏感于功率调控的上转换系统具有的特征和判据.本研究为设计和合成高敏感度的功率调控的上转换材料提供了理论基础和实验数据.
高当丽李蓝星冯小娟种波辛红赵瑾张翔宇
(SrZrO_3)_(10)(SrTiO_3)_(90)缓冲层对PZT结晶及性能的影响被引量：1
2009年
采用Sol-gel法制备了PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜,并研究了(SrZrO3)10(SrTiO3)90((SZO)10(STO)90)缓冲层对PZT薄膜结晶和性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明:(SZO)10(STO)90缓冲层对PZT薄膜结晶有取向诱导作用,由(SZO)10(STO)90诱导的PZT薄膜有很强的(111)择优取向,缓冲层将PZT薄膜的取向度α由45.0%提高到了90.1%以上;PZT的(111)择优取向提高了薄膜的电性能,使剩余极化强度Pr从26.8μC/cm2增大到38.8μC/cm2。
辛红苏未安王艳阳
关键词：缓冲层
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