虞游
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：成都信息工程大学光电技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划四川省教育厅自然科学科研项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Zn/Sn共掺杂MgO功能层对AC PDP放电性能的影响（英文）
- 2018年
- 采用化学共沉淀法制备出Zn/Sn共掺杂MgO纳米粉末,利用旋涂法将其涂覆在等离子体显示器(ACPDP)的前基板上作为功能层,以改善AC PDP的放电性能。X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和扫描式电子显微镜(SEM)的分析结果表明,Zn和Sn原子被成功掺入MgO晶格中。紫外-可见分光光度计的测试结果显示,Zn/Sn共掺杂MgO功能层的加入使基板的可见光透过率降低了4%～7%。在200～450 torr、7%Xe+Ne的放电条件下,与传统AC PDP相比,新型功能层的加入有效降低了AC PDP的着火电压和维持电压。因此,该功能层对于提高AC PDP的放电效率和降低其功耗具有重要意义。
- 邓江虞游
- 关键词：等离子体显示着火电压
- LaB_6复合型场发射阵列阴极的结构设计（英文）
- 2018年
- 为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB_6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层和六硼化镧发射体层。基于ANSYS平台模拟了该阴极中电阻层、过渡层和发射体层厚度对热应力场分布的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,电阻层厚度不影响热应力场的分布,只是改变热应力的大小;随着电阻层厚度的增加,阴极最大热应力会减小;过渡层可以有效减缓发射层的热应力,且过渡层的厚度会影响热应力场的分布;当电阻层厚度为72 nm,过渡层厚度为200 nm,发射层厚度为728 nm时,阴极最为稳定。薄膜热应力测试结果与模拟结果基本一致,证实了引入过渡层和电阻层对于减小阴极热应力的可行性。
- 邓江葛延槟虞游王小菊
- 关键词：ANSYS过渡层
- 闪锌矿ZnO电子结构与光学性质的杂化泛函研究被引量：1
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的投影缀加波赝势方法,选择广义梯度近似下的PBE(PerdewBurke-Ernzernhof)泛函和HSE06(Heyd-Scuseria-Ernzerhof)杂化泛函,对比研究了闪锌矿氧化锌(ZBZnO)的电子能带结构、态密度、复介电函数和吸收系数等光学性质.研究结果表明,ZB-ZnO为直接带隙半导体,采用HSE06泛函计算的带隙为3.15 eV,与实验结果符合得很好;与PBE相比,采用HSE06泛函计算获得ZB-ZnO导带底附近的态密度减小,导带整体向高能方向移动,而价带中部分区域向低能方向扩展,带隙显著增大,对电子结构的计算更准确;结合电子态密度,分析了介电函数、吸收光谱与电子跃迁间的内在联系,探讨了ZB-ZnO光学性质的微观机理.
- 范强何知宇杨建会曹进虞游孙辉
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- CdGeAs_2单晶体的腐蚀研究被引量：1
- 2010年
- 报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%)∶NH4OH(含NH325%-28%)∶NH4Cl(5mol/L)∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察。结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论。
- 黄巍赵北君朱世富何知宇陈宝军李佳伟虞游
- CdGeAs_2晶体红外双折射率和吸收系数的第一原理计算
- 2011年
- 基于第一原理赝势平面波方法,采用密度泛函理论的局域密度近似(LDA)方法计算了CdGeAs_2晶体的介电函数,并由此得到红外波段的折射率n_e、n_o,双折射率△n和静态介电常数ε(0),将计算值同实验值作比较,结果一致.还计算了CdGeAs_2晶体的红外吸收系数,与实验测得的红外透过率谱进行了比较,计算值与实验值吻合较好.结果对CdGeAs_2晶体质量的改进和应用具有实用价值.
- 杜文娟朱世富赵北君何知宇张熠张顺如虞游
- 关键词：密度泛函理论介电函数双折射率
- Al掺杂ZnO电子结构及光学性质研究被引量：3
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法计算未掺杂纤锌矿结构ZnO及掺杂摩尔分数分别为12.5%Al和25%Al的纤锌矿ZnO,对掺杂前后晶体的能带结构、态密度及光学性质进行比较分析。计算结果表明:ZnO掺杂Al后,费米能级上移并进入导带,电子由价带向导带跃迁的几率将增大;由于Al掺杂的影响,吸收范围减小,吸收强度降低;随着Al掺杂量的增加,能量损失函数峰值逐渐增大,曲线总体向低能方向偏移。
- 虞游孙健赵国栋郑小林刘以良
- 关键词：凝聚态物理光学性质密度泛函理论第一性原理掺杂电子结构
