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董赞

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电光
  • 2篇电光调制
  • 2篇电光调制器
  • 2篇调制器
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子分布
  • 2篇偏压
  • 2篇工艺线
  • 2篇光调制
  • 2篇光调制器
  • 2篇反向偏压
  • 2篇高速电光调制...
  • 2篇SOI衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗设计
  • 1篇电冰箱
  • 1篇定理

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇董赞
  • 5篇陈弘达
  • 4篇黄北举
  • 3篇关宁
  • 2篇刘博
  • 2篇张旭
  • 1篇裴为华
  • 1篇陈进
  • 1篇陈雄斌
  • 1篇杨宇
  • 1篇朱琳
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 3篇2010
  • 2篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
多场式CMOS图像传感器
本文提出了一种多场式CMOS图像传感器。邻近4×4像素的控制端被分开，在整个像素阵列中形成了16个曝光可以独立控制的场。这样可以实现不同的采样方式，其中一种可以在保持时空分辨率不变的前提下，将像素速率降为原来的...
关宁张旭刘博董赞黄北举陈弘达
关键词：图像传感器低功耗设计视频采集
SOI衬底CMOS工艺电光调制器
本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避...
陈弘达黄北举董赞
文献传递
SOI衬底CMOS工艺电光调制器
本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避...
陈弘达黄北举董赞
文献传递
一种利用半导体照明进行通信的系统及方法
本发明公开了一种利用半导体照明进行通信的系统，该系统包括传送光信号的传送设备(1)和接收光信号的接收设备(2)，传送设备(1)将待传送的数据转变成光信号进行传送，接收设备(2)将接收自传送设备(1)的光信号转换成电信号，...
陈弘达朱琳陈雄斌裴为华刘博杨宇董赞关宁
文献传递
标准CMOS工艺单片集成光接收机设计
利用0.35?m标准CMOS工艺实现了双光电探测器和前置跨阻放大电路TIA、限幅放大电路LA的单片集成。DPD探测器通过屏蔽衬底载流子的扩散抑制了响应电流的拖尾现象从而提高了带宽。零极点补偿结构跨阻放大器通过在反馈网络引...
黄北举张旭王伟董赞关宁陈进陈弘达
关键词：跨阻放大器限幅放大器光接收机单片集成
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