缴桂跃
- 作品数：11 被引量：21H指数：2
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术文化科学理学更多>>
- 环形单针双束流截面测量技术
- 1994年
- 利用一个三维环形探针对离子束进行旋转扫描，可以同时测量到两个束流截面的大小和位置，估算出二截面附近的聚焦梯度以及束腰的移动。
- 缴桂跃
- 关键词：扫描器束流
- 旋转式单针双截面束流扫描仪
- 1994年
- 采用三维环形旋转探针对离子束进行扫描，可以探测到２个束流截面的大小和位置；还可以由二截面参数的比较估算出附近的聚集梯度。该装置能够比较全面地反映束流的特性。
- 缴桂跃王文勋
- 关键词：测量仪扫描仪加速器
- 铯溅射型负离子源中Cs~+离子产额的实验研究
- 1994年
- 通过电离表面的痕量分析和Ｃｓ＾＋离子产额的测量，研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅型负离子源表面电离效率的影响。结合Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，提示Ｃｓ＾＋离子产额饱和的原因。提出一项改进措施－－透射型表面电离源，就其性能进行了讨论。
- 缴桂跃姬成周王文勋
- 关键词：负离子源铯离子产额
- 860A型高强度溅射离子源的改进被引量：1
- 1993年
- 球面电离器的采用使溅射区域缩小到直径～0.75mm;用3根远离溅射区的瓷柱取代原来绝缘阴极的瓷环,可使溅射电压在10kV以内稳定工作。这些改进措施使860A的部分负离子品种的流强提高了近300％,传输效率得以提高,从而为2×1.7MV串列加速器进行大注量高能离子注入改善了条件。
- 缴桂跃
- 关键词：溅射离子源电离器束流强度
- GIC－4117／HC1．7MV Tandetron上的MeV离子注入系统被引量：1
- 1995年
- 利用通用离子公司（ＧＩＣ）的４１１７型１．７ＭＶＴａｎｄｅｔｒｏｎ离子束分析设备进行ＭｅＶ级离子注入。所注入的离子能量范围由５００ｋｅＶ到１０ＭｅＶ，离子的质量在２４０ｕ以下，某些元素的负离子束流强度在１５０μＡ以上。双向机械扫描技术可将离子均匀地注入样片。
- 缴桂跃王文勋王广甫董平
- 关键词：离子注入串列加速器离子源负离子源
- 游泳阻力测量设备分析
- 2006年
- 本文主要介绍游泳力学参数的测量设备,包括人游进时的主动阻力,牵引或出发转身后滑行时的被动阻力,手掌所受到的流体压力,以及游进时的总效率。
- 缴桂跃
- 关键词：传感器流体力学
- 柱面电离器
- 一种溅射离子源用的新型电离器，由普通电热管做成筒状加热器，其中衬有高功函数材料的薄片，例如钽片，其内柱面即为有效电离面，柱面光滑，电场分布均匀，也便于清洗。装配式结构，便于更换零件。全部零件和材料立足于国内，成本大大低于...
- 缴桂跃王文勋王广甫董平
- 文献传递
- 表面电离的计算与测量被引量：2
- 1993年
- 通过对电离度和表面正离子流密度的计算以及对靶电流和负离子流的测量,对诸如钽、铁、钨、镍、铼和铂等高功函数金属表面的电离效率进行比较研究后表明:铁作为一种普通金属同样是较好的电离材料,并对影响表面电离的温度、铯蒸汽压力以及表面功函数进行了讨论。
- 缴桂跃
- 关键词：电离
- 游泳滚翻转身技术分析被引量：14
- 2006年
- 本文结合世界著名选手的转身技术,分析自由泳滚翻转身的特点,以及由此派生出来的仰泳滚翻转身,个人混合泳中仰泳到蛙泳的转身,及一种自由泳中的单臂转身技术。
- 缴桂跃
- 透射表面电离生成正离子的解析模拟
- 1995年
- 基于Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，推演一适用于透射表面电离过程的解析模型，包括系统导流系数的解析表述，中性粒子流密度公式的修正，空间电荷影响下的电离几率等，并给出了与透射型表面电离源实验结果的比较。
- 缴桂跃姬成周王广甫
- 关键词：电离几率正离子电离势
