祝祖送
- 作品数：26 被引量：32H指数：3
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- 用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究被引量：9
- 2005年
- 对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.
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- 关键词：多晶硅薄膜H2气源等离子体增强非晶硅薄膜稀释度
- 优质微晶硅薄膜的光学性质
- 2014年
- 对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在低温快速沉积的优质微晶硅薄膜的光学性质进行了研究。拉曼谱表明，微晶硅薄膜的晶化度超过80％；SEM结果表明，晶粒分布较均匀，大小平均为60nm左右；光照实验结果表明，该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定；通过对气流分布进行调节，透射光谱结果表明，微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善，均匀度高达95％。
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- 关键词：微晶硅薄膜均匀性等离子体增强化学气相沉积
- Nd:GdVO_4激光器输出特性的理论分析被引量：1
- 2015年
- 为从理论上分析LD端面泵浦Nd:Gd VO4激光器的输出特性,获得Nd:Gd VO4及同类晶体激光输出特性的理论依据,以理想四能级系统激光器速率方程为基础,推导出激光器输出功率方程。并以此方程为依据,数值模拟和分析了振荡光斑、腔内损耗这两个参数在同一泵浦功率下对Nd:Gd VO4全固态激光器输出特性的影响。结果表明,激光输出功率随着振荡光斑半径的增大而先增大后减小,随腔内损耗呈线性递减变化。与同类晶体Nd:YVO4和Nd:YAG的对比和分析结果验证了Nd:Gd VO4作为激光晶体的优越性。
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- 关键词：ND:GDVO4晶体LD泵浦数值模拟
- SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响被引量：2
- 2004年
- 以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 。
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- 关键词：等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜电功率大尺寸晶粒尺寸
- PECVD系统中Ar等离子体电子特性的研究被引量：1
- 2009年
- 利用自行设计的可移动Langmuir探针装置对PECVD系统中Ar等离子体中的电子平均能量和电子浓度随各工艺条件的变化规律进行了研究;并成功获得了Ar等离子体中的电子平均能量和电子浓度的轴向分布和径向分布规律。此外,文中还对电子浓度和电子平均能量随各工艺参数的变化规律进行了系统的理论分析。
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- 关键词：PECVD电子特性
- SiCl<sub>4</sub>/H<sub>2</sub>沉积多晶硅薄膜过程中电子空间特性检测
- 等离子体化学气相沉积技术是通过电子碰撞来给源反应提供能量的，跟传统的化学气相沉积技术相比，具有沉积温度低、沉积速率大及膜的质量高等优点。它广泛应用于微电子工业上晶化硅薄膜及各种合金（非晶硅、氮化硅等）的生产，已经成为一项...
- 祝祖送
- 关键词：等离子体PECVD
- SiCl_4浓度对微晶硅薄膜生长及光电特性的影响
- 2016年
- 研究了SiCl_4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl_4/H_2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl_4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl_4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl_4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl_4浓度的变化。此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用。
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- 关键词：微晶硅晶粒等离子体增强化学气相沉积
- PECVD系统中等离子体参数径向分布的研究被引量：1
- 2014年
- 分别通过Langmuir静电探针测量和数值模拟方法研究了等离子体增强化学气相沉积系统中氩等离子体中电子密度和电子平均能量的径向分布规律.实验结果表明:从放电中心到电极边缘方向,电子密度和电子平均能量呈逐渐增大的趋势.数值模拟结果和Langmuir静电探针测量结果符合得较好.
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- 关键词：等离子体参数数值模拟
- 用质谱法测量SiH4辉光放电中性基团的空间分布
- 本文设计了一个取样位置能在电极间自由调节的取样装置,用质谱法首次测量了SiH(n=0-3)基团的空间相对丰度分布。SiH的消耗率是计算中性基团的关键参量,一种线性拟合的方法被提出来计算SiH的消耗率。SiH(n=0-3)...
- 王照奎林揆训林璇英邱桂明祝祖送
- 关键词：质谱法
- Langmuir探针对以SiCl_4/H_2低温沉积多晶硅薄膜过程的在线检测
- 2015年
- 利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl_4/H_2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜。采用加热可调谐Langmuir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系统分析了影响多晶硅薄膜沉积的各工艺参数——射频功率、反应压强、氢流量和氢稀释度对电子特性的影响,并对实验结果进行了分析和讨论。
- 祝祖送尹训昌尤建村
- 关键词：LANGMUIR探针电子特性沉积速率
