王雪艳
- 作品数：8 被引量：37H指数：5
- 供职机构：西安工业大学材料与化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电气工程理学更多>>
- 冷拔单晶铜线材微观组织及其信号传输特性
- 开发具有高保真性能的传输导线、高传输频率的网络通讯电缆、以及微型中电器件用的超细丝导线具有重要工程实际意义。单晶铜线材由于消除晶界对传输信号的影响，同时具有优异的塑性变形以及信号传输性能，在高保真传输导线方面拥有广阔的应...
- 王雪艳
- 关键词：单晶铜线材塑性变形背散射电子衍射驻波比
- 文献传递
- 塑性变形单晶铜线材织构的研究被引量：9
- 2006年
- 将单晶连铸技术制备的直径Φ8 mm工业单晶铜线材,在C733-4/ZF型工业拉丝机上按同一方向冷拔至直径分别为Φ4 mm、Φ2 mm和Φ1 mm的铜线材,应用极图分析和织构定量计算的方法研究了变形量与织构的关系.结果表明:变形单晶铜线材中的形变织构主要为<100>丝织构,也有少量<110>丝织构;随着变形量的增加,<100>丝织构的体积百分数先减小后增加,而<110>丝织构先增加后减小.
- 李红英严文陈建范新会王雪艳
- 关键词：单晶铜塑性变形形变织构连铸
- 塑性变形对单晶铜线材导电性影响的研究被引量：12
- 2005年
- 为了研究塑性变形对单晶铜线材导电性的影响,以及电阻率与塑性变形量之间的定量关系,将Φ8mm的工业单晶铜线材冷拔后,得到塑性变形量不同的试样,用四端引线法精确测量其电阻率.结果表明,单晶铜线材的电阻率随塑性变形量的增加而上升,其原因是由于单晶铜线材的微观组织畸变程度随塑性变形量的增加而加剧.
- 张亚宁严文陈建范新会李红英王雪艳
- 关键词：单晶铜线材塑性变形电阻率
- 单晶铜线材在冷拔过程中形成的亚结构被引量：8
- 2007年
- 采用光学金相和电子背散射衍射对单晶铜线材拉拔变形过程中的组织演化进行了分析。结果表明，变形单晶铜线材组织的演化分为3个阶段；当真应变为1．96时，变形单晶铜线材由〈100〉转变为〈100〉、〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构，织构组分转变是由剪切变形所致；当真应变为0．94时，界面错配角小于14°，属于小角度界面，当真应变为1．96时，界面错配角超过50°，在25°～30°大角度范围出现了由织构演化形成的第2个峰。
- 陈建严文陈绍楷王雪艳彭渝莉范新会
- 关键词：单晶铜线材
- 单晶铜线材在冷拉拔变形过程中的组织演化被引量：8
- 2007年
- 采用光学金相、电子背散射衍射和透射电子显微镜对单晶铜线材拉拔变形的组织演化进行了分析．发现单晶铜线材除了有少量的晶界之外，还有枝晶和少量生长孪晶，但凝固过程中所产生的枝晶在变形组织中却很难观察到．在室温下拉拔变形过程中，单晶铜线材的组织演化可分为3个阶段，当真应变小于0．94时，宏观尺度上晶粒没有发生明显的分裂，从微观尺度上讲，组织的演化为位错胞形成以及沿拉丝方向拉长的变形阶段；真应变为0．94～1．96时，宏观上出现晶粒分裂，微观上胞块和沿{111}的MBs开始增多；真应变大于1．96时，宏观上晶粒分裂加剧，形成纤维状组织，微观上出现剪切变形的S带．随变形量的增加，由晶粒竞争生长形成的〈100〉丝织构转变为〈100〉，〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构，剪切变形是织构组分转变的原因．变形形成的界面，其角度随变形量增加而增大．真应变为0．94时，界面属于小角度界面；真应变为1．96时，界面角度超过50°，并在25°～30°高角度范围出现了由织构演化所形成的第2个峰．
- 陈建严文王雪艳范新会
- 关键词：单晶铜线材电子背散射衍射透射电子显微镜光学金相
- 单晶铜线材塑性变形后的组织和性能
- 将单晶连铸技术制备的直径为8 mm单晶铜进行冷拔,获得不同变形量的铜线材,以此研究显微组织、力学性能和电学性能.结果表明：随着变形量的增加,显微组织被拉长变窄,随后出现孪晶,最后形成纤维组织;随着变形量的增加,屈服强度和...
- 李红英王雪艳张亚宁
- 关键词：单晶铜塑性变形电阻率单晶连铸电学性能
- 文献传递
- 工业铜单晶线材浸蚀蚀坑的研究被引量：3
- 2007年
- 对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂,浸蚀时间,材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验.结果表明,在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20 g(FeCl3)∶5 ml(HCl)∶100 ml(H2O)时会有蚀坑产生;蚀坑密度(EPD)随试样浸蚀时间和试样的变形量的增加而增大,当达到一定程度时会趋于饱和;铜单晶线材中(111)面EDP值高于(100)面;经过扫描电镜观察,判定该蚀坑为位错蚀坑.铜单晶线材中位错蚀坑密度与材料浸蚀时间,变形量以及晶体学取向有关.
- 严文王雪艳陈建李巍范新会
- 关键词：铜单晶晶体取向塑性变形
- 晶界对工业单晶铜线材传输性能影响的微观机制被引量：5
- 2005年
- 通过分析晶界对铜线材电阻率、电容值以及信号失真度的影响规律,研究晶界对线材传输信号影响的机制。结果表明,随晶界数的增加,线材的电阻率呈非线性增加,线材的电容值呈线性减少。晶界的电阻率大于晶界两侧晶粒的电阻率是晶界影响线材传输性能的本质,晶界的电阻、电容以及电感特性是晶界对线材传输性能影响的具体表现形式。
- 陈建严文李红英王雪艳范新会
- 关键词：线材晶界传输性能
