王玉菡
- 作品数：36 被引量：141H指数：6
- 供职机构：重庆理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 基于MCM-C工艺的3D-MCM实用化技术研究被引量：5
- 2014年
- 基于MCM-C(陶瓷厚膜型)工艺,实现了三维多芯片组件(3D-MCM)封装。解决了多层基板制作、叠层间隔离及垂直定位互连等关键工艺问题。制作出层间为金属引线互连结构的3DMCM样品。该样品具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。经使用测试,样品的技术指标完全合格,使用情况良好。
- 王玉菡程瑶
- 关键词：三维多芯片组件多层基板互连
- 《电工电子学》课程教学探讨被引量：2
- 2012年
- 《电工电子学》是几门课程合成一门的专业基础课,学时少,内容多。因此,学生普遍感到难于掌握。为了提高教学质量,根据教学实践和研究,提出了课程教学的改进方法和手段,并介绍了一些教学心得和体会。
- 王玉菡程瑶杨奕
- 关键词：电工电子学教学质量教学实践
- Multisim仿真软件在《数字电子技术》教学中的应用实践被引量：2
- 2016年
- 为提高数字电路教学效果,将Multisim仿真引入数字电路的教学中。教学实践证明,仿真教学巩固了理论知识,提高了学习兴趣,拓展了学生思维,有利于学生自主学习能力和创新意识的培养。
- 王玉婵康杰虎王玉菡
- 关键词：MULTISIM仿真软件自主学习能力数字电路
- 基于VC++6.0实现无闪烁连续实时曲线被引量：1
- 2014年
- 工业现场常需要实时采集数据并在软件中将数据动态显示出来。运用VC++6.0编程工具,在基本对话框中的静态文本控件上,利用双缓冲技术实现无闪烁时间驱动的动态实时曲线,并在实践中取到了较好的效果。
- 王玉菡曾自强
- 关键词：双缓冲VC
- 3-D MCM封装技术及其应用被引量：4
- 2006年
- 介绍了超大规模集成电路(VLSI)用的3-DMCM封装技术的最新发展,重点介绍了3-DMCM封装垂直互连工艺,分析了3-DMCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题,并对3-DMCM封装的应用作了简要说明。
- 王玉菡曹全喜
- 关键词：3-DMCM技术封装垂直互连
- 《电工学》课程教学改革与实践
- 2013年
- 《电工学》是一门非电专业技术基础课,也是为以后专业课的学习打下基础的一门基础课程,但是《电工学》理论性和实践性要求又都很强,内容多、涉及面广,学生接受起来有一定的困难,普遍反映难学。本文作者根据自己的教学实践和研究,提出了课程教学的改进方法和手段,并介绍了一些自己的教学心得体会。
- 王玉菡
- 关键词：电工学教学质量教学实践
- 应用UCC3803 PWM控制器设计±12V的DC-DC电源
- C3803是Unitrode公司推出的电流型脉宽调制(PWM)控制器,该控制器具有优越的性能和完善的保护电路,用UCC3803设计单端正激跟踪式输出为±12V的D>DC开关电源,并介绍了电源的电路设计方案...
- 王玉菡曹全喜杨三成
- 关键词：电流控制脉宽调制开关电源
- 基于压电陶瓷动态信息的结构损伤检测技术被引量：11
- 2007年
- 依据压电材料的压电效应特性,压电陶瓷片既可作为传感器又可作为驱动器.将压电陶瓷片粘贴在待测结构的表面,运用压电阻抗技术对结构中螺栓松动的损伤进行检测分析,实验表明,通过检测压电动态阻抗的变化可分析出螺栓松动的结构损伤情况.基于压电陶瓷的结构损伤检测技术,可以对机械结构进行实时在线损伤检测,它不仅适用于宏观损伤的检测,在高频激励下对于微小损伤的检测也非常有效.
- 张兢徐霞王玉菡尹敏
- 关键词：压电陶瓷阻抗法导纳螺栓
- 热释电IRFPA非均匀性校正实验系统研究被引量：1
- 2014年
- 采用虚拟仪器技术,设计了基于LabVIEW软件平台的热释电IRFPA(红外焦平面阵列)非均匀性校正系统。该系统可通过控制面板选择校正算法,选取3种不同的标准像元的标准校正曲线。可以对IRFPA待校正的像元输出进行采集,对非均匀性参数进行测试,还可以进行非均匀性校正。系统通过三维波形以及图像的显示来观察校正前后对比,并能计算出校正前后的NU(非均匀性)值大小。对像元数为120×160的热释电IRFPA输出的视频信号进行了非均匀性校正实验,对非均匀性校正算法进行了统计对比,对仿真结果及数据进行了分析总结。经过校正实验验证了系统的可行性,结果证明基于平均值法的两点定标算法对热释电IRFPA非均匀性校正后的NU值是最小的。通过统计数据得出校正后的NU可平均下降30%。
- 程瑶王玉菡袁祥辉
- 关键词：非均匀性虚拟仪器
- Ge_2Sb_2Te_5相变存储单元瞬态结晶过程研究
- 2016年
- 研究了基于Ge2Sb2Te5的相变存储器单元的瞬态结晶过程,并通过高频示波器捕捉了瞬态结晶过程的电压波形,发现了在结晶过程中瞬态波形存在振荡现象,且振荡频率随时间和脉高变化具有一定规律。结晶完成后振荡现象消失,单元电阻转变为稳定的低阻,通过相变存储器的场致导电通道结晶模型很好地解释了该瞬态结晶现象。
- 王玉菡康杰虎王玉婵徐霞
- 关键词：相变存储器振荡
