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王明

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术政治法律电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信
  • 1篇政治法律

主题

  • 17篇存储器
  • 8篇金属
  • 7篇氧化物
  • 7篇金属氧化物
  • 6篇电极
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 6篇功耗
  • 5篇缓冲层
  • 4篇低功耗
  • 4篇化合物
  • 4篇工艺灵活性
  • 4篇编程
  • 3篇铜互连
  • 3篇阻挡层
  • 3篇互连
  • 3篇挥发
  • 3篇构图
  • 3篇硅化
  • 2篇电镀

机构

  • 20篇复旦大学

作者

  • 20篇王明
  • 17篇林殷茵
  • 5篇周鹏
  • 5篇吕杭炳
  • 3篇宋雅丽
  • 1篇金钢
  • 1篇刘琦
  • 1篇曹杰
  • 1篇邱洁
  • 1篇杨玲明
  • 1篇王艳良
  • 1篇刘明
  • 1篇张佶
  • 1篇陈怡

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2008
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种CuxO基电阻型存储器的制备方法
一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在C...
林殷茵吕杭炳周鹏王明
一次可编程存储单元、存储器及其制备方法
本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物...
林殷茵王明
文献传递
一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法
本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化...
林殷茵宋雅丽王明
高一致性的电阻型存储器及其制备方法
本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第...
林殷茵王明杨玲明王艳良
文献传递
一种自组装雪崩响应器件及其制备和应用
本发明涉及一种自组装雪崩响应器件及其制备和应用，该响应器件通过以下过程制备得到：(1)取绝缘衬底并在其上表面两端分别沉积制备金属电极；(2)取纳米导电填料和界面调节剂，加入弹性基体溶液中，搅拌混合，并超声分散，得到导电聚...
王明曹杰
一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法
本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在...
林殷茵吕杭炳王明周鹏
文献传递
一种电阻随机存储器的置位操作方法
本发明属于不挥发存储器技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器的置位操作方法。本发明通过脉冲幅度以步进式增长的多个脉冲对电阻随机存储器进行一次置位操作，使每个电阻随机存储器、或者每个电阻随机存储器的每次置位操作在最合适的置位...
林殷茵王明吕杭炳周鹏
文献传递
法国违宪审查制度研究
违宪审查是最主要的宪法监督制度之一,其目的是维护宪法权威,保障宪法实施。二战后,违宪审查逐渐成为西方发达国家主要的政治制度,是宪政文明和法治社会的重要标志。作为一种制度安排,违宪审查有着深厚的法律基础和理论渊源,这其中包...
王明
关键词：违宪审查宪法监督制度
集成于铜互连后端结构的Cu<Sub>x</Sub>O电阻型存储器及其制备方法
本发明属于存储器技术领域，具体为一种集成于铜互连后端结构的Cu<Sub>x</Sub>O电阻型存储器及其制备方法。该存储器包括铜引线下电极、Cu<Sub>x</Sub>O存储介质层、上电极；其中，铜引线包括覆盖于电镀铜之...
林殷茵王明
文献传递
一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法
本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在...
林殷茵吕杭炳王明周鹏
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