王斐
- 作品数：21 被引量：15H指数：2
- 供职机构：南开大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 反应磁控溅射技术生长W掺杂ZnO(WZO)薄膜及其特性研究
- 直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO (ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO 薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生...
- 张翅陈新亮王斐黄茜赵颖张晓丹耿新华
- 关键词：反应磁控溅射ZNO薄膜
- 一种利用稻壳修复油泥的方法
- 一种利用稻壳修复油泥的方法，本发明属于环境修复技术领域涉及利用生物质废弃物急性环境修复污染的方法。本发明的关键技术为利用稻壳较大的比表面积调改善油泥的结构，稻壳的多孔结构为微生物提供生长和繁殖的场所，增强微生物多样性和活...
- 唐景春王斐刘庆龙朱文英张海荣孙克静
- 文献传递
- 添加不同调理剂对堆肥处理钻井油泥的影响研究
- 我国每年产生的油泥多达百万吨，其中包括陆地油泥以及海上钻井所产油泥，因其含有多种对人体及环境有毒有害的化合物质，随着人类环保意识的不断增强因而对环境质量的要求越来越高，油泥的资源化利用越来越受到研究者的关注。生物堆肥法处...
- 王斐
- 关键词：调理剂变性梯度凝胶电泳生物毒性堆肥处理
- 文献传递
- 衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(WZO)透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素.随着衬底温度升高,薄膜表面粗糙度先增大后减小;衬底温度较高时,薄膜的结构致密,结晶质量好,电子迁移率高.当衬底温度为325℃时,WZO薄膜获得最低电阻率9.25×10^(-3)Ω·cm,方块电阻为56.24Ω/□,迁移率为11.8 cm^2 V^(-1)·s^(-1),其在可见光及近红外区域(400—1500 nm)范围的平均透过率达到85.7%.
- 张翅陈新亮王斐闫聪博黄茜赵颖张晓丹耿新华
- 关键词：反应磁控溅射ZNO薄膜衬底温度
- IWO缓冲层对磁控溅射生长绒面HGZO薄膜性能的影响
- 2012年
- 研究了W掺In2O3(IWO)缓冲层(buffer layer)对磁控溅射直接生长绒面结构H化Ga掺杂ZnO(HGZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。实验发现,加入IWO缓冲层能够有效地增大薄膜表面粗糙度,提高了薄膜光散射能力,薄膜绒度(550nm波长处)由7.05%提高至18.37%;具有IWO缓冲层的HGZO(IWO/HGZO)薄膜的电学性能稍微提升。通过优化工艺条件,当IWO缓冲层厚为10nm时,生长获得的IWO/HGZO复合薄膜方块电阻为3.6Ω,电阻率为6.21×10-4Ωcm,可见光及近红外区域透过率(400～1 100nm)为82.18%,薄膜绒度(550nm波长处)为18.37%。
- 王斐陈新亮张翅黄茜张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华
- 关键词：磁控溅射薄膜太阳能电池
- 薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究被引量：6
- 2011年
- 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。
- 陈新亮王斐闫聪博李林娜林泉倪牮张晓丹耿新华赵颖
- 关键词：镀膜技术缓冲层梯度掺杂薄膜太阳电池
- 一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及应用
- 一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，以玻璃衬底为基片，以ZnO:Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>或ZnO:Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>作为靶材原料，溅射气体为Ar...
- 陈新亮耿新华王斐张德坤魏长春黄茜张建军张晓丹赵颖
- 文献传递
- 反应磁控溅射直接生长绒面结构ZnO：Al-TCO薄膜及其特性研究被引量：1
- 2012年
- 利用反应磁控溅射技术,在玻璃衬底上直接生长获得了"弹坑状"绒面结构的ZnO:Al-TCO薄膜。通过梯度O2生长(GOG,gradual oxygen growth)方法改善ZnO薄膜的透过率和绒度特性,并且具有较好的电学性能。通过优化实验,GOG方法生长ZnO:Al薄膜(薄膜结构:11.0sccm/10R+9.5sccm/15R)的"弹坑状"特征尺寸为300～500nm,可见光范围透过率达到90%,方块电阻约为4.0Ω/□,电子迁移率为17.4cm2/V-1.s-1。大面积镀制的ZnO:Al具有良好的绒面结构和电学均匀性,可应用于光伏(PV)产业化推广应用。
- 陈新亮王斐耿新华黄茜张德坤魏长春张晓丹赵颖
- 关键词：磁控溅射技术ZNO薄膜太阳电池
- 利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜及应用
- 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在...
- 陈新亮耿新华王斐闫聪博张德坤孙建魏长春张建军张晓丹赵颖
- 文献传递
- 磁控溅射技术生长氢化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其太阳电池应用研究
- 为了进一步提高太阳光的利用效率，获得高效率的宽光谱太阳电池，这就要求作为陷光结构的ZnO-TCO前电极在宽光谱区域内具有较高的透过率，低电阻率和合适的绒面结构。本论文采用直流磁控溅射技术在超白玻璃衬底上生长高质量的H化G...
- 王斐
- 关键词：磁控溅射技术氧化锌薄膜工艺参数
- 文献传递
