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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电感线圈
  • 2篇匹配器
  • 2篇偏压
  • 2篇谐振频率
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀

机构

  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 2篇周宗义
  • 2篇王佳
  • 2篇王建海
  • 2篇黄清华
  • 2篇李兵
  • 2篇刘训春

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统,属于半导体加工制造领域。所述方法是:在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路,LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频...
刘训春王佳周宗义李兵王建海黄清华
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一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统,属于半导体加工制造领域。所述方法是:在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和电容C组成的LC谐振回路,LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频...
刘训春王佳周宗义李兵王建海黄清华
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共1页<1>
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