王存涛
- 作品数：6 被引量：8H指数：1
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 超薄Ni_(81)Fe_(19)薄膜的各向异性磁电阻及磁性能
- 2012年
- 利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m。基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大。随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。
- 王书运何建方王存涛
- 关键词：基片温度超薄薄膜各向异性磁电阻
- 不同缓冲层对坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻的影响
- 本文探索了在NiFe层厚度尽可能薄的情况下，如何提高坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻和磁性能以满足其应用于传感器以及高灵敏度磁头的方法。以不同材料作为缓冲层,利用JGP-450型磁控溅射系统制备了一系列的坡莫合金薄膜样品：T...
- 王存涛
- 关键词：各向异性磁电阻基片温度缓冲层
- 文献传递
- NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1
- 2013年
- 以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:(Ni81Fe19)1-xNbx(t)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm),研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用原子力显微镜(AFM)分析样品表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构。结果表明,(Ni81Fe19)0.807Nb0.193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fe19厚度为20nm的坡莫合金薄膜,缓冲层中Nb含量为0.193时薄膜的AMR效应及相结构最佳;随着缓冲层厚度的增加,薄膜的AMR效应先增后减,在厚度为4nm时AMR达到最大值;随着基片温度的升高,薄膜的AMR随之增大,在温度为450℃时达到最大值,之后趋于稳定,最大AMR值达到3.76%。
- 王存涛王书运高垣梅张慧
- 关键词：各向异性磁电阻微结构
- NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1
- 2013年
- 利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁电阻比(AMR),利用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构,用原子力显微镜(AFM)分析样品的表面形貌。结果表明,由于NiO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20nm的Ni81Fe19薄膜,当基片温度为450℃时,通过插入4nm厚的NiO插层可使AMR值达到5.01%,比无NiO插层时提高了40%。
- 张慧王书运高垣梅王存涛
- 关键词：各向异性磁电阻基片温度
- ZnO插层对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响被引量：1
- 2013年
- 利用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品Ta(4 nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20 nm)/ZnO(t)/Ta(3nm),研究了ZnO插层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)和微结构的影响。利用四探针法测量薄膜样品的AMR值,利用X射线衍射仪分析样品的微结构。结果表明:由于ZnO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的ZnO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜AMR值,对于厚度为20 nm的Ni81Fe19薄膜,在基片温度为400℃时,通过插入2 nm厚的ZnO插层使得AMR值较不加插层提高了11%。
- 王存涛王书运高垣梅张慧
- 关键词：各向异性磁电阻基片温度
- 基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜结构和各向异性磁电阻的影响被引量：6
- 2012年
- 利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。
- 何建方王书运王存涛
- 关键词：基片温度各向异性磁电阻磁控溅射
