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王声函

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇有害气体
  • 2篇烧结炉
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇硅片
  • 2篇SIC纳米线
  • 2篇超声分散

机构

  • 2篇哈尔滨工业大...

作者

  • 2篇李峰
  • 2篇温广武
  • 2篇马飞翔
  • 2篇王声函
  • 2篇朱建东
  • 2篇黄小萧
  • 2篇张晓东

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiC纳米线的制备方法
SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶...
温广武黄小萧张晓东王声函马飞翔李峰朱建东
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SiC纳米线的制备方法
SiC纳米线的制备方法，它涉及一种纳米线的制备方法。本发明解决了现有的制备碳化硅纳米线的方法存在的工艺复杂、成本高、生产周期长以及制作过程中产生有害气体危害人体健康、污染环境的问题。本发明方法：一、将单晶硅片放入氢氟酸溶...
温广武黄小萧张晓东王声函马飞翔李峰朱建东
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