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温亮

作品数:7 被引量:0H指数:0
供职机构:国防科学技术大学计算机学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇噪声
  • 2篇噪声容限
  • 2篇锁存
  • 2篇SDP
  • 2篇SRAM
  • 2篇层次式
  • 2篇存储器
  • 2篇大容量
  • 1篇电路
  • 1篇读写
  • 1篇读写性能
  • 1篇端口
  • 1篇多端口
  • 1篇多端口存储器
  • 1篇修正值
  • 1篇硬件开销
  • 1篇上网
  • 1篇数据共享
  • 1篇片上网络
  • 1篇网络

机构

  • 7篇国防科学技术...

作者

  • 7篇温亮
  • 5篇李振涛
  • 4篇徐庆光
  • 2篇陈吉华
  • 2篇陈书明
  • 2篇张家胜
  • 1篇刘祥远
  • 1篇张科勋
  • 1篇杨唐第
  • 1篇郭海勇
  • 1篇唐涛
  • 1篇郭阳
  • 1篇李勇

传媒

  • 1篇计算机研究与...
  • 1篇2013全国...
  • 1篇第十五届计算...
  • 1篇第十四届计算...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
带漏流控制的锁存式敏感放大器
在大容量SRAM存储器中,敏感放大器成为影响SRAM读出数据的关键.本文对传统锁存式敏感放大器进行研究,提出了一种65nm工艺下带漏流控制的放大器改进方法,通过在放大器中增加位线漏流控制晶体管,加快位线放电速度.实验数据...
张家胜陈吉华徐庆光温亮
关键词:功耗分析
文献传递
结构化混合位宽乘法运算方法及装置
本发明公开了一种结构化混合位宽乘法运算方法及装置,方法包括:1)输入乘数、被乘数以及运算控制信号;2)对乘数、被乘数进行拆分和符号位扩展;3)将乘数、被乘数分别送入两个M×N乘法器进行布斯译码、部分积生成,并对部分积进行...
李振涛郭海勇陈书明郭阳刘祥远唐涛张科勋温亮杨唐第
文献传递
65nm工艺大容量2W/8R高速SDP存储器的设计
2012年
SDP是为"飞腾-迈创"DSP在65nm工艺下设计的一个核间数据共享存储器,容量为512×32b,端口数为2W/8R.针对SDP存储器写端口数少的特点,为减小面积,采用了分为4个2W/2R存储体的实现策略.为了提高存储单元的噪声容限,设计了读写端口分离的12管2W/2R存储单元,使得读写操作的噪声容限分别达到了333mV和274.7mV.采用层次式位线技术,提高了读写操作的速度,并降低了功耗.用全定制方法完成了2W/2R存储体的版图设计,并用Encounter完成了SDP存储器的总体集成.版图后的模拟结果显示,SS条件下的最大延时为750ps,TT条件下的功耗为45.2mW@500MHz.
徐庆光温亮李振涛
关键词:多端口存储器噪声容限
MHrN,一种新型的混合片上网络结构
本文提出一种新颖的、混合的片上网络结构——MHrN,它汲取了传统的网形网络(Mesh)、环形网络(Ring)和层次环网(HRing)网络的优点,规避了它们的缺点,具有可扩展性良好、硬件实现简单、网络环境适应性高等优点.相...
张见陈书明李振涛温亮
关键词:MESH片上网络
带漏流控制的锁存式敏感放大器
在大容量SRAM存储器中,敏感放大器成为影响SRAM读出数据的关键。本文对传统锁存式敏感放大器进行研究,提出了一种65nm工艺下带漏流控制的放大器改进方法,通过在放大器中增加位线漏流控制晶体管,加快位线放电速度。实验数据...
张家胜陈吉华徐庆光温亮
关键词:SRAM
文献传递
新型SRAM存储单元的比较与分析
6T存储单元因工艺偏差带来的稳定性差、抗噪声能力弱及随之而来的漏电流等问题,本文介绍了一种新型的7T存储单元结构和一种8T存储单元结构,并提出一种9T的存储单元结构.与传统的6T存储单元进行比较,新型的存储单元采用读写分...
温亮李勇李振涛
关键词:集成电路读写性能
65 nm工艺大容量2W/8R高速SDP存储器的设计
SDP是为“飞腾一迈创”DSP在65 nm工艺下设计的一个核间数据共享存储器,容量为512×32b,端口数为2w/8R.针对SDP存储器写端口数少的特点,为减小面积,采用了分为4个2w/2R存储体的实现策略.为了提高存储...
徐庆光温亮李振涛
关键词:噪声容限
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