汪洋
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- MOCVD选择区域外延和对接生长研究
- 采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一定的规律,灵活运用SAG和BJ技术是实现单片光电子集成器件的关键。
- 孔端花梁松潘教青刘扬汪洋朱洪亮
- 关键词：MOCVD
- 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法
- 本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限...
- 汪洋赵玲娟朱洪亮王圩
- 一种制备高速电吸收调制器的方法
- 本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法，采用量子阱混杂方法，一次外延生长实现有源波导与无源波导集成，同时采用行波电极以进一步提高调制速率，具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。
- 张伟潘教青汪洋朱洪亮
- 高速集总型双耗尽电吸收调制器的研制
- 2011年
- 设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N-EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N-EAM。脊波导长度为250μm,宽度为2.5μm的D-EAM在-3V偏压下电容为0.225pF,对应的调制带宽估算为28.3GHz;1 550nm输入波长条件下,D-EAM在偏压为-1V至-2V之间调制效率最大,达到10dB/V,而-3V、-6V下的调制深度分别为22dB和26dB,满足40Gbit/s光纤通信要求。
- 邱应平汪洋邵永波周代兵赵玲娟王圩
- 关键词：电容
- 一种制备高速电吸收调制器的方法
- 本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法，采用量子阱混杂方法，一次外延生长实现有源波导与无源波导集成，同时采用行波电极以进一步提高调制速率，具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。
- 张伟潘教青汪洋朱洪亮
- 文献传递
- 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法
- 本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限...
- 汪洋赵玲娟朱洪亮王圩
- 文献传递
