毛清华
- 作品数：6 被引量：12H指数：3
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- p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响被引量：3
- 2015年
- 在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电压随温度变化的斜率(dV/dT)进行了研究.结果表明:1)有源区中包括插入层设计、量子阱结构以及发光波长等因素的变化对正向电压随温度变化特性影响很小;2)影响常温区间(300K±50K)正向电压随温度变化斜率的最主要因素为p-AlGaN电子阻挡层起始生长阶段的掺杂形貌,具有p-AlGaN陡掺界面的样品电压变化斜率为-1.3mV·K-1,与理论极限值-1.2mV·K-1十分接近;3)p-GaN主段层的掺Mg浓度对低温区间(<200K)的正向电压随温度变化斜率有直接影响,掺Mg浓度越低则dV/dT斜率越大.以上现象归因于在不同温度区间,p-AlGaN以及p-GaN发生Mg受主冻结效应的程度主要取决于各自的掺杂浓度.因此Mg掺杂浓度纵向分布不同的样品在不同的温度区间具有不同的串联电阻,最终表现为差异很大的正向电压温度特性.
- 毛清华刘军林全知觉吴小明张萌江风益
- 关键词：发光二极管
- p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究被引量：3
- 2010年
- 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.
- 毛清华江风益程海英郑畅达
- 关键词：绿光LED
- Si衬底功率型绿光LED光电性能及其可靠性研究
- 介绍了Si衬底GaN基功率型绿光LED器件最新研究进展。芯片尺寸为500μm×500μm的功率型绿光LED，采用硅胶封装后，在正向60mA电流下，工作电压为3.37V，主波长520nm，光功率23mW。对该批次样管的裸芯...
- 程海英毛清华汤英文江风益
- 关键词：氮化镓功率型可靠性
- 文献传递
- 硅衬底GaN基绿光LED光电性能研究
- GaN基绿光LED在全彩显示和固态照明领域有着重要的应用前景,由于其量子阱内较高的In组份,使其材料中存在比蓝光LED更大的应力和极化电场,从而使得绿光LED发光效率偏低,限制了LED的应用范围,因此如何提高GaN基绿光...
- 毛清华
- 关键词：SI衬底GAN绿光LED功率型
- 文献传递
- AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响被引量：5
- 2014年
- 利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。
- 刘军林熊传兵程海英张建立毛清华吴小明全知觉王小兰王光绪莫春兰江风益
- 关键词：氮化镓硅衬底
- 高光效硅衬底GaN基大功率绿光LED研制
- 绿光LED器件光电性能的提高对于LED在液晶背光源，全景显示以及固态照明等领域的应用前景具有重要研究意义。目前，在500～550nm的绿光波段，无论是在AlGaInN体系材料还是AlGaIn P体系材料，其发光效率均很低...
- 毛清华
- 关键词：硅衬底发光性能
