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樊捷闻

作品数：63 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇中文专利

领域

  • 18篇电子电信

主题

  • 24篇电路
  • 21篇纳米
  • 21篇晶体管
  • 19篇纳米线
  • 16篇刻蚀
  • 16篇集成电路
  • 14篇沟道
  • 14篇大规模集成电...
  • 13篇场效应
  • 13篇场效应晶体管
  • 12篇硅纳米线
  • 12篇超大规模集成
  • 12篇超大规模集成...
  • 11篇淀积
  • 11篇半导体
  • 9篇栅结构
  • 8篇选择比
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层

机构

  • 63篇北京大学

作者

  • 63篇樊捷闻
  • 63篇黄如
  • 35篇王润声
  • 24篇黎明
  • 22篇艾玉杰
  • 18篇杨远程
  • 16篇邹积彬
  • 14篇黄欣
  • 12篇孙帅
  • 11篇许晓燕
  • 10篇诸葛菁
  • 10篇张昊
  • 9篇李佳
  • 8篇王阳元
  • 8篇陈珙
  • 6篇刘长泽
  • 5篇浦双双
  • 5篇郝志华
  • 4篇杨庚雨
  • 4篇艾玉洁

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 6篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 7篇2013
  • 19篇2012
  • 12篇2011
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法
本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO<Sub>2</Sub>；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO<Sub>2</Sub>硬掩膜上；淀积与Si...
黄如诸葛菁樊捷闻艾玉杰王润声黄欣
一种半导体结构及其形成方法
一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括：通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。...
黎明杨远程樊捷闻宣浩然张昊黄如
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一种垂直纳米线晶体管的集成方法
本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能...
黎明杨远程陈珙樊捷闻张昊黄如
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超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法
本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯‑多层壳的纳米线结构，该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿...
黄如吴春蕾黄芊芊樊捷闻王阳元
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一种半导体器件的栅介质层陷阱密度和位置的测试方法
本发明公布了一种半导体器件的栅介质层陷阱密度和位置的测试方法。所述测试方法利用泄漏通路产生的栅泄漏电流来测试小面积(有效沟道面积小于0.5平方微米)半导体器件栅介质层中陷阱密度和二维的陷阱位置。本发明尤其适用于超小面积器...
黄如邹积彬刘长泽王润声樊捷闻王阳元
一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内...
艾玉杰郝志华黄如浦双双樊捷闻孙帅王润声许晓燕
基于氧化分凝的埋沟结构硅基围栅晶体管及其制备方法
本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和...
邹积彬黄如王润声杨庚雨艾玉洁樊捷闻
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一种实现半导体器件隔离的方法
本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的...
黎明陈珙杨远程樊捷闻张昊黄如
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在体硅上制备独立双栅FinFET的方法
本发明公开了一种在体硅上制备独立双栅FinFET的方法，主要的工艺流程包括：形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；形成氧化隔离层；形成栅结构和源漏结构；形成金属接触和金属互联。通过采用此方法可以在体硅片上很容易的形成独立...
黄如樊捷闻许晓燕李佳王润声
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无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法
本发明提供一种无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法，该半导体器件测试结构为三栅结构，两侧栅窄而中间栅宽，三个栅控制半导体器件测试结构的沟道的不同区域，达到精确控制电荷走向的目的。利用本发明半导体器件栅介质层陷...
黄如邹积彬王润声樊捷闻刘长泽王阳元
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