柯磊
- 作品数：15 被引量：38H指数：4
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- 相关领域：电气工程一般工业技术理学机械工程更多>>
- 高电位梯度片式/厚膜ZnO压敏电阻的研制
- 本文采用稀土掺杂和低温烧结的方法制备了高电位梯度片式和厚膜两种类型的Zn0压敏电阻，结合电学性能、晶相组成、微观形貌等表征手段，对制备工艺进行了优化，并分析了工艺条件对高电位梯度试样各项性能的影响。另外，我们还从微观角度...
- 柯磊
- 关键词：压敏电阻晶界结构电位梯度
- 文献传递
- 高电位梯度ZnO压敏电阻的高压稳压性能研究被引量：2
- 2008年
- 采用稀土掺杂和低温烧结的方法制备出高电位梯度的ZnO压敏电阻,并研究了Y2O3掺杂浓度对试样电位梯度和稳压性能的影响。结果表明,在800℃的烧结条件下,掺杂0.08%(摩尔分数)Y2O3后试样的电位梯度增加了49%,稳压系数达到1.99×10-2。从微观角度对ZnO压敏电阻烧结过程中的物化反应分析发现,较低的烧结温度能够抑制Y2O3的受主固溶和Bi2O3的挥发,减缓晶粒的生长速度,改善晶界质量,从而提高试样的电位梯度,实现高压稳压。
- 柯磊蒋冬梅王春霞马学鸣
- 关键词：ZNO压敏电阻电位梯度
- 两种不同制备方法的多壁碳纳米管光学性质的对比被引量：5
- 2013年
- 分别采用化学气相沉积法和电弧放电法制备了多壁碳纳米管.利用扫描电镜测量了两种不同方法所制备样品的形貌,并在室温下测量了这两种样品的喇曼光谱、吸收光谱和光致发光光谱.结果显示:电弧法所制的纳米管管径较小,且纳米管相互缠绕明显;两种样品的喇曼光谱中均存在D模和G模,但化学气相沉积法制备的碳管的结构更完美,石墨化程度和碳管纯度更高;两种样品都在250nm处有一个强的吸收峰,当采用共振激发时,两种样品均在480nm处有带状发射光谱,而用550nm的光激发时,化学气相沉积法制备的多壁碳纳米管在820nm处具有光致发光,电弧法制备的样品在此波段则无光致发光.
- 袁艳红柯磊杨党强
- 关键词：多壁碳纳米管化学气相沉积法电弧放电法光学性质
- 微波烧结制备ZnO压敏电阻
- 2012年
- 采用微波烧结的方法制备出ZnO压敏电阻,并对试样的物相组成、微观形貌和电学性能进行了表征。结果表明,微波烧结制备的ZnO压敏电阻与常规烧结具有相同的物相结构,平均晶粒尺寸为2.1μm;试样的电位梯度、漏电流、非线性系数分别为2 479.1V/mm,6.60μA,22.6;晶界势垒形状尖锐,势垒高度为0.88eV,耗尽层宽度为16nm。与常规绕结ZnO压敏电阻相比,微波烧结过程加热均匀,使试样的微观结构具有较好的一致性,提升了烧结质量,优化了ZnO压敏电阻的电学性能。
- 柯磊袁艳红杨党强
- 关键词：微波烧结ZNO压敏电阻电位梯度
- 磁性SiO_2/Fe_3O_4复合粒子的制备研究被引量：4
- 2014年
- 采用共沉淀法在硅酸钠溶液中将磁性Fe3O4纳米粒子进行包裹处理，得到表面包覆SiO2薄层的复合粒子，并通过XRD、TEM、穆斯堡尔谱、磁性能测试等手段对包裹样品进行了表征。实验结果表明，共沉淀法制备的复合粒子由磁性Fe3O4粒子核和外部的SiO2包裹层组成，复合粒子的粒径分布为介于20-30nm，包裹后的样品具有典型的铁磁性特征，比饱和磁化强度Ms为23．250emu／g。与单一的Fe3O4纳米颗粒相比，磁性Si02／Fe3O4复合粒子除了具有良好的磁学性能、较小的矫顽力、较小的剩余磁化强度外，有着非常好的耐酸性和抗氧化性。
- 柯磊姜继森马学鸣
- 关键词：FE3O4SIO2磁性
- 真空烧结对高压厚膜型ZnO压敏陶瓷的影响
- 2012年
- 采用真空烧结的方法制备出高电位梯度的厚膜型ZnO压敏陶瓷,并研究了多次真空烧结对高压厚膜型ZnO压敏陶瓷的影响。实验结果表明,多次真空烧结使试样的电学性能产生先劣化后优化的变化趋势。真空烧结5次后,试样的电位梯度为2890.9V/mm,漏电流为87.9μA,非线性系数为9.0,晶粒尺寸在2μm左右。晶粒中氧原子百分含量的降低表明真空烧结5次后,晶粒、晶界间发生了氧原子的转移,使试样宏观电学性能得到改善。
- 柯磊马学鸣
- 关键词：ZNO压敏陶瓷真空烧结电位梯度厚膜
- 缺陷对多壁碳纳米管光致发光特性的影响被引量：1
- 2012年
- 采用化学气相沉积法,在反应温度分别为980℃和1 040℃时制备了多壁碳纳米管(MWNTs)样品,并采用扫描电镜和拉曼光谱对样品进行了表征;结果表明,当反应温度为980℃时,制备的碳纳米管结构缺陷更多。使用波长为350nm的光激发2种样品并测量它们的光致发光光谱。发射峰值约在550nm处,反应温度为980℃时制备的碳纳米管的发射光谱的光强较强。
- 袁艳红杨党强柯磊
- 关键词：多壁碳纳米管光致发光
- 一种高电位梯度ZnO厚膜压敏电阻的制备方法
- 一种高电位梯度ZnO厚膜压敏电阻的制备方法，属于压敏电阻材料制造的技术领域。该方法用丝网印刷工艺在Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷片基底上依次沉积膜状物：底电极、ZnO压敏电阻体和顶电极，再将电...
- 马学鸣柯磊仇红军
- 文献传递
- 高能球磨和低温烧结制备高电位梯度ZnO厚膜压敏电阻被引量：2
- 2011年
- 通过高能球磨和低温烧结,制备出高电位梯度的ZnO厚膜压敏电阻,并研究了烧结温度对厚膜试样电学性能的影响。结果表明,高能球磨可显著细化粉体颗粒,球磨后颗粒的平均尺寸减小到0.420μm;颗粒的高度细化促使厚膜可在650～850℃的低温范围烧结成瓷,其中在700℃的烧结条件下,厚膜试样的综合性能最佳,电位梯度达到3175.6 V.mm-1,漏电流为30.7μA,非线性系数为13,微观势垒高度为0.79 eV,耗尽层宽度为14.4 nm,施主浓度为2.24×1018 cm-3,表面态密度为3.22×1012 cm-2。
- 柯磊马学鸣
- 关键词：高电位梯度高能球磨稀土
- 高电位梯度ZnO压敏电阻大电流冲击下电学性能的研究被引量：6
- 2009年
- 通过Y2O3掺杂等工艺手段制备出具有高电位梯度值的ZnO压敏电阻,并进行大电流冲击条件下的电学性能测试。实验结果表明,在掺杂0.08%(摩尔浓度)Y2O3后,试样的电位梯度值达到2 460.5 V/mm,残压比为1.48,最大通流容量达到1 263 A,能量耐受密度达到404.7 J/cm3,具有良好的抵抗大电流冲击的性能。掺杂后的试样晶粒尺寸减小到1.5μm,并且分布比较均匀,细致均匀的微观结构有利于试样电位梯度和大电流冲击下电学性能的提高。
- 柯磊蒋冬梅马学鸣
- 关键词：ZNO压敏电阻电位梯度大电流冲击
