杨道虹
- 作品数：26 被引量：36H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市教委资助项目北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 激光在MEMS键合技术中的应用被引量：3
- 2004年
- 键合技术已经广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)领域,但传统的键合技术由于其缺点,限制了其应用范围,而激光以其独特的优势在键合技术中得到了人们的重视。文章介绍了激光在键合技术中的应用及其原理,以及今后发展的方向。
- 杨道虹董典红徐晨张剑铭阳启明沈光地
- 关键词：微电子机械系统硅直接键合激光
- 一种新颖的低温硅片直接键合技术
- 提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法。硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度。
- 徐晨霍文晓杨道虹赵慧赵林林沈光地
- 关键词：等离子体
- 文献传递
- Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用被引量：9
- 2004年
- 运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法。
- 杨道虹徐晨李兰吴苗沈光地
- 关键词：微电子机械系统高温退火
- 金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用被引量：1
- 2005年
- 利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形变变化量.运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si实现对探测器的金/硅共晶键合封装,形成气室,制备出探测器样品并初步得到响应.该键合方法能够进行选择区域键合,实验证明键合强度达到体硅强度.
- 赵林林徐晨杨道虹霍文晓赵慧沈光地
- 关键词：红外探测器共晶键合
- 微机械气体红外探测器的CFD模拟
- 2004年
- 概要地介绍了一种可工作于室温环境下的微型气体红外探测器,它基于气体吸收红外辐射后以无辐射去激励方式产生一系列热效应的物理基础,可获得包含红外辐射源信息的信号。为深入研究热效应所产生的微热信号对器件整体性能的控制和影响,建立了相应的流体力学(CFD)模型,通过数值分析方法,获得了气体物质微观行为随红外辐射源辐射特性的变化关系。
- 吴峻苗邹德恕高国李兰刘铮杨道虹
- 关键词：微机械
- 硅片低温直接键合方法
- 硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需450℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有IC存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明...
- 沈光地徐晨杨道虹霍文晓赵林林赵慧高国陈建新
- 文献传递
- 应用双电场减小阳极键合过程中MEMS器件可动部件的损伤(英文)被引量：3
- 2004年
- 提出了采用双电场对硅 /玻璃进行阳极键合的方法 .采用这种方法 ,能够有效地避免和减少键合过程中的静电力对 MEMS器件的可动敏感部件的损伤和破坏 ,同时实验结果也验证了该方法 .
- 杨道虹徐晨沈光地
- 关键词：微电子机械系统阳极键合
- 用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制被引量：1
- 2005年
- 超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的。这种超薄硅膜的各向异性腐蚀技术,包括有机溶液EPW和无机溶液KOH及KOH+IPA(异丙醇)。从腐蚀速率、腐蚀表面质量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统,分别制作出了约1μm厚的平整超薄硅膜,并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性,为高灵敏度红外探测器的制作奠定了工艺基础。
- 董典红徐晨邹德恕李兰杨道虹张剑铭阳启明沈光地
- 关键词：各向异性腐蚀
- 新型非制冷高速高灵敏度红外探测器的研制被引量：3
- 2003年
- 介绍了一种新型非制冷高速高灵敏度硅基电容式红外探测器的工作原理,描述了探测器的设计思想及制作工艺。该探测器采用密封于微气腔的特殊气体吸收红外辐射以改变探测器微电容的原理来进行红外探测,制作工艺采用微机械加工技术。对样品的测试表明这种红外探测器能探测红外信号。
- 刘铮李兰邹德恕杨道虹徐晨沈光地
- 关键词：微机械红外探测器非制冷
- 新型室温中远波段红外探测器的关键工艺研究被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种基于MEMS技术的新型室温中远红外波段硅基电容式红外探测器原理和制作工艺过程,并详细介绍了针对单面光刻机而采用的对准孔双面对准和键合对准技术、浓硼扩散EPW腐蚀停止技术制备超薄敏感硅膜以及薄膜的疏水处理等关键工艺。还对各环节所遇到的问题和其相应的解决方法进行了详细地阐述。
- 杨道虹徐晨董典红李兰吴畯苗张建铭阳启明邹德恕沈光地
- 关键词：MEMS红外探测器键合光刻
