杨君玲
- 作品数：11 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家攀登计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 离子束外延生长半导体性锰硅化合物被引量：4
- 2001年
- 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物 ,Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6 .俄歇电子谱深度组分测量结果表明 ,在单晶 Si的表面淀积了一薄层厚度约为 37.5 nm的 Mn,另一部分 Mn离子成功注入进 Si基底里 ,注入深度为 6 18nm.在 840℃条件下在流动 N2 气氛中对生长样品进行退火 ,X射线衍射结果表明退火后Mn2 7Si47和 Mn1 5Si2 6
- 杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家
- 关键词：硅单晶
- 离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物
- 2001年
- 利用质量分离的低能双离子束外延技术 ,得到了 (Ga ,Mn ,As)化合物。衬底温度 5 2 3K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明 ,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为 3 0nm的外延层 ,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里 ,注入深度约为 160nm。衬底温度为 5 2 3K时获得了Ga5.2 Mn相 ,衬底温度为 673K时获得了Ga5.2 Mn、Ga5Mn8和Mn3 Ga相。在 1113K条件下对 673K生长的样品进行退火 ,退火后样品中原有的Mn3 Ga消失 ,Ga5Mn8峰减弱趋于消失 ,Ga5.2 Mn仍然存在而且结晶更好 ,并出现Mn2
- 杨君玲陈诺夫刘志凯杨少延柴春林廖梅勇何宏家
- 关键词：低能离子束半导体材料磁性半导体
- 组份渐变铁磁性半导体制备方法
- 一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤2：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤3：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤4：对...
- 陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林
- 文献传递
- 磁性半导体材料的制备和性质研究
- 磁性材料和半导体材料是信息技术领域中两类非常重要的材料，而磁学和半导体物理学是固体物理学的两大重要分支.因此无论从实际应用还是从基础理论研究上考虑，开展研究磁性半导体材料都很重要.对磁性半导体材料生长技术、物理性质及器件...
- 杨君玲
- 关键词：磁性材料半导体材料
- (Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱
- 2002年
- 利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga As激子峰、1.4 875 e V处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带 .宽发光带的中心位置在 1.35 e V附近 ,半宽约 0 .1e V.在 84 0℃条件下对样品进行退火处理 ,退火后的谱结构类似退火前 ,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至 1.5 0 6 5 e V和 1.4 894 e V,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加 .这一宽发射带的来源还不清楚 ,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带 ,生成 Mn2 As新相 ,Mn占 Ga位或形成 Ga Mn
- 杨君玲陈诺夫叶小玲何宏家
- 关键词：光致发光谱离子束外延砷化镓
- 室温铁磁性半导体MnxGa(1-x)Sb被引量：3
- 2002年
- 采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.
- 陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林王占国胡文瑞林兰英
- 关键词：铁磁性稀磁半导体磁滞回线晶体结构载流子浓度
- 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法
- 一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法,步骤如下:以砷化镓等单晶片为衬底;用石墨或石英制成生长容器;将纯镓、纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中,在外延炉中经充分溶解、混合后,在过冷度下进行外延生长;生长溶液中x和y...
- 陈诺夫杨君玲何宏家钟兴儒吴金良林兰英
- 文献传递
- 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法
- 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬垫，然后在衬垫上直接生长磁性材料；或在衬垫上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层...
- 杨君玲陈诺夫何家宏钟兴儒吴金良林兰英刘志凯杨少延柴春林
- 文献传递
- 用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分被引量：6
- 2001年
- 对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进,在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法,并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中,建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法,提高了测定晶格参数的精确度.采用该方法测试分析了离子束外延技术制备的GaMnAs单晶中Mn组分.
- 陈诺夫修慧欣杨君玲吴金良钟兴儒林兰英
- 关键词：稀磁半导体材料X射线衍射
- 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法
- 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层...
- 杨君玲陈诺夫何家宏钟兴儒吴金良林兰英刘志凯杨少延柴春林
- 文献传递
