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非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究被引量：1: 2004年; 基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6106O·cm2。研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触。; 杜江锋赵波罗谦于奇靳翀李竞春; 关键词：传输线模型快速热退火载流子浓度电子隧穿施主

MOSFET衬底电流模型及参数提取: 1999年; 在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上，导出了其衬底电流解析模型，并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近，可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。; 刘永强于奇刘玉奎李竞春陈勇; 关键词：MOSFET 半导体器件

一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计被引量：9: 2011年; 为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路。采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证。结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50 mV内。输入在6～40 V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13 mV和0.3 mV幅度。线性稳压器直流下PSRR可达-85 dB,在1 MHz工作频率下,输入电压为6 V和40 V时,模拟电源变化幅度分别不超过24 mV和46 mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3 V和0.8 V。该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中。; 刘浩陈志葛佳乐于奇宁宁王向展邓春健李竞春; 关键词：线性稳压器 BCD工艺

Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET Using 400℃ LT-Si Technology: 2004年; A novel MBE-grown method using low-temperature (L T) Si technology is introduced into the fabrication of strained Si channel heter ojunction pMOSFETs.By sandwiching a low-temperature Si layer between Si buffer and SiGe layer,the strain relaxation degree of the SiGe layer is increased.At th e same time,the threading dislocations (TDs) are hold back from propagating to t he surface.As a result,the thickness of relaxed Si 1-xGe x epitax y layer on bulk silicon is reduced from several micrometers using UHVCVD to less than 400nm(x=0.2),which will improve the heat dissipation of devices.AFM t ests of strained Si surface show RMS is less than 1.02nm.The DC characters meas ured by HP 4155B indicate that hole mobility μ p has 25% of maximum enhanc ement compared to that of bulk Si pMOSFET processed similarly.; 梅丁蕾杨谟华李竞春于奇张静徐婉静谭开洲; 关键词：SIGE

低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制(英文)被引量：3: 2003年; 提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。; 于奇杨谟华李竞春王向展肖海燕; 关键词：低噪声电荷放大器低功耗设计低电压 CMOS

一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管: 该发明公开了一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域。利用N型漏区或者P型源区与N型外延层之间的短接，共享高电位，从而使得N型埋层与N型源区或者P型漏区、本征区、P型衬底形成的PN...; 王向展曹建强马阳昊李竞春; 文献传递

硅基片上螺旋电感宽带物理模型被引量：1: 2007年; 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。; 郑薇王向展任军杨帆尤焕成李竞春杨谟华; 关键词：片上螺旋电感物理模型涡流损耗

SiGe HBT异质结势垒高度物理模型研究被引量：2: 2006年; 基于SiGe HBT异质结势垒效应(HBE)产生的物理机制,综合考虑Ge引入集电区和大电流下电流感应基区中少子浓度对空穴浓度的影响,建立了异质结势垒高度解析模型。结果表明,将Ge引入集电区可有效地推迟HBE发生;同时,考虑少子浓度的影响,势垒高度具有明显的饱和趋势,峰值约为0.07 eV。; 王生荣戴广豪李文杰傅文渊李竞春杨谟华; 关键词：SIGE HBT 解析模型

SiGe HBT基区渡越时间研究被引量：1: 2006年; 对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组分的bτ减小了33.7%。该研究与其他文献的结果相吻合,可为SiGe HBT基区设计提供一定的理论指导。; 戴广豪王生荣李文杰李竞春杨谟华; 关键词：SIGE HBT 基区渡越时间

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究被引量：7: 2001年; 为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm); 李竞春杨沛峰杨谟华谭开洲何林郑娥; 关键词：栅介质薄膜锗化硅 MOS器件

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李竞春