李润身
- 作品数：20 被引量：54H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学机械工程更多>>
- 晶体表面畸变的X射线双晶衍射研究被引量：3
- 1990年
- 本文介绍了表面畸变的晶体中X射线动力学衍射分层模型的计算原理和通过计算机模拟双晶摇摆曲线获得畸变层信息的方法,讨论了不同的双晶排列方式对摇摆曲线和模拟计算的影响,分析了畸变层内应变、损伤分布与摇摆曲线的关系,并以B^+注入Si(100)晶片为例,给出了模拟结果。
- 朱南昌李润身陈京一许顺生
- 关键词：晶体X射线双晶衍射
- （ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍
- 1995年
- 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别．
- 朱南昌李润身陈京一彭中灵袁诗鑫
- 关键词：X射线双晶衍射多量子阱硒化镉
- In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的X射线双晶衍射研究被引量：2
- 1990年
- 本文阐述了一种基于X射线动力学衍射理论的计算机模拟方法,该方法可用于分析超晶格材料的X射线双晶摆动曲线,用模拟计算方法得到了In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的各种结构参数。
- 陈京一朱南昌田亮光李润身
- 关键词：INGAAS/GAAS超晶格双晶衍射
- 研究大气腐蚀金属表面结露行为的新技术被引量：14
- 2001年
- 建立了一种在实验室直接观察金属表面结露过程的简便装置 .用半导体制冷器使片状金属样品快速降温 ,在金属表面上发生结露 ,同时用金相显微镜观察 ,还可照相记录 .该装置考察了尘埃、盐沾污等因素对于结露行为的影响 .
- 徐乃欣赵灵源丁翠红张承典李润身钟庆东
- 关键词：大气腐蚀结露大气污染金属
- X射线衍射对Bragg定律的偏离及双晶衍射的边缘效应
- 1991年
- 文中给出了完整单晶X射线衍射对Bragg定律偏离的更精确的表达式,由此式自然地得到了X射线在晶体表面全反射的临界角,其与光学上由折射率导出的结果完全一致。当X射线以充分小的掠射角射在单晶表面并同时射在与表面相交的侧面时,双晶(n,—n)排列摇摆曲线将出现两个峰,峰间距可用来测定晶体单胞电子数。
- 李润身
- 关键词：X射线衍射双晶衍射
- 表面和亚表面状态检测装置
- 本实用新型是一种利用表面吸附效应，无损检测材料光滑、超光滑表面显微粗糙度、表面附着物、亚表面损伤和应力缺陷的表面测试装置。它主要由密封罩、产生饱和蒸汽的储液槽、均热工作台、致冷器、湿度计、测温探头、显微镜和照相或记录装置...
- 李润身曹卫武
- 文献传递
- KTP晶体中一种特殊缺陷的研究被引量：3
- 1991年
- 研究发现,在KTP晶体中有一特殊的区域,在这一区域内,KTP晶体的倍频效率明显增加,本文借助于透射同步辐射(SR)白光形貌方法,对这一区域进行了研究,发现在这区域内有一面缺陷,在这面缺陷处由于杂质的积累,使晶格发生了微小畸变,从而使KTP晶体的倍频效率增加,并根据消光规律确定了该缺陷的最大应变方向R=<010>。
- 田亮光姜小龙李润身许顺生刘耀岗
- 关键词：KTP晶体倍频效率激光
- 高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究
- 1991年
- 本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的Ge_xSi(1-x)/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整Ge_xSi(1-x)/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。
- 田亮光朱南昌陈京一李润身许顺生周国良
- 关键词：超晶格双晶衍射SI
- 半导体应变超晶格结构与界面的X射线双晶衍射研究被引量：6
- 1991年
- 本文应用X射线在畸变晶体中的动力学衍射理论,分析了超晶格衍射峰强度分布的规律,计算了应变超晶格中界面变化,层厚波动对双晶摇摆曲线的影响,并初步探讨了超晶格衍射峰之间的小峰消失以及衍射峰宽化的原因,研究表明,衍射峰强度分布依赖于超晶格周期中层厚、成份及应变的综合效果,界面和层厚波动将对摇摆曲线产生一定影响,而晶格弯曲是使衍射峰宽化的主要原因。
- 朱南昌李润身许顺生
- 关键词：超晶格X射线双晶衍射
- GaAs中Si^+注入的X射线双晶衍射研究被引量：2
- 1992年
- 本文用X射线双晶衍射术,结合摇摆曲线的计算机模拟和电学测量,研究了 180keV Si+注入GaAs(100)样品及其退火过程中的结构变化.结果表明,注入态时Si原子基本上处在基体中的间隙位上,使点阵产生膨胀,在退火过程中逐渐进入替代位,但这一替代过程进行得并不彻底.当剂量高于 1×10^(13)cm^(-2)时,注入态就显著地产生了间隙Si原子进入替代位的过程.当剂量达到 1×10^(15)cm^(-2)时,经 800℃ 0.5 小时的炉退火仍然不能消除离子注入所引起的损伤和应变,大量Si原子留在间隙位上,使激活率难以提高.分析表明,空位和应力在Si原子从间隙位到替代位的过程中起了很大的作用,是GaAs中Si离子注入产生饱和现象的.主要原因.
- 朱南昌陈京一李润身许顺生夏冠群胡素英
- 关键词：砷化镓X射线双晶衍射
