2025年2月1日
星期六
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
李学飞
作品数:
12
被引量:0
H指数:0
供职机构:
南京大学
更多>>
相关领域:
电子电信
金属学及工艺
更多>>
合作作者
李爱东
南京大学
吴迪
南京大学
刘晓杰
南京大学
付盈盈
南京大学
李辉
南京大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
11篇
专利
1篇
学位论文
领域
3篇
电子电信
2篇
金属学及工艺
主题
9篇
介质
9篇
衬底
8篇
介质薄膜
6篇
原子层沉积
3篇
电学性能
3篇
栅介质
3篇
氢溴酸
3篇
MOS器件
2篇
电容
2篇
叠层
2篇
叠层结构
2篇
堆栈
2篇
堆栈结构
2篇
氧化铪
2篇
栅介质薄膜
2篇
栈结构
2篇
砷化镓
2篇
砷化镓衬底
2篇
水溶
2篇
水溶液
机构
12篇
南京大学
作者
12篇
李学飞
11篇
吴迪
11篇
李爱东
5篇
付盈盈
5篇
刘晓杰
4篇
曹燕强
4篇
李辉
2篇
章闻奇
2篇
翟海法
2篇
龚佑品
年份
1篇
2014
3篇
2013
5篇
2012
2篇
2011
1篇
2010
共
12
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法
本发明公开了一种清洗钝化GaAs衬底表面的方法,首先将GaAs衬底用有机溶液处理,除去表面的油污;然后用氢溴酸溶液浸泡GaAs衬底,除去表面的氧化层;接着放入加热到50℃的(NH<Sub>4</Sub>)<Sub>2</...
付盈盈
李爱东
曹燕强
李学飞
吴迪
文献传递
一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法
本发明公开了一种在锗衬底上低温原子层沉积Hf基栅介质薄膜的方法,首先对锗衬底进行清洗、钝化;将钝化好的衬底放入ALD反应室中,温度为140-170℃,以三甲基铝Al(CH<Sub>3</Sub>)<Sub>3</Sub>...
李学飞
李爱东
章闻奇
刘晓杰
付盈盈
吴迪
文献传递
一种清洗钝化Ge衬底表面的方法
本发明公开了一种清洗钝化Ge衬底表面的方法,首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗,然后将锗衬底移到5-20%(重量比)的氢溴酸水溶液中,室温下清洗3-15分钟,接着用高纯氮气吹干,再放入15-50%(重量比)的硫化铵水...
李学飞
李爱东
龚佑品
翟海法
李辉
吴迪
文献传递
ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法
本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法,首先清洗GaAs衬底,之后在HCl水溶液中浸泡3~5分钟,接着在(NH<Sub>4</Sub>)<Sub>2</Sub>S水溶液中浸泡10~40分钟,用...
李学飞
李爱东
曹燕强
吴迪
一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法
本发明公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法,先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层,形成高介电薄膜;接着将3~8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上,自...
刘晓杰
李爱东
高墨昀
李学飞
吴迪
文献传递
一种清洗钝化Ge衬底表面的方法
本发明公开了一种清洗钝化Ge衬底表面的方法,首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗,然后将锗衬底移到5-20%(重量比)的氢溴酸水溶液中,室温下清洗3-15分钟,接着用高纯氮气吹干,再放入15-50%(重量比)的硫化铵水...
李学飞
李爱东
龚佑品
翟海法
李辉
吴迪
调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法
本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法,首先对锗衬底进行清洗,吹干。接着放入ALD反应室中,沉积以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为开始层,交替Al<Sub>2</Sub>...
李学飞
李爱东
付盈盈
刘晓杰
李辉
吴迪
文献传递
ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法
本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法,首先清洗GaAs衬底,之后在HCl水溶液中浸泡3~5分钟,接着在(NH<Sub>4</Sub>)<Sub>2</Sub>S水溶液中浸泡10~40分钟,用...
李学飞
李爱东
曹燕强
吴迪
文献传递
等效氧化物厚度为亚纳米的Ge基MOS器件的制备方法
本发明公开了一种等效氧化物厚度为亚纳米的Ge基MOS器件的制备方法,1)对Ge衬底进行清洗;2)进行S钝化,3)在Ge衬底表面原位沉积Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜;4)沉积HfO<Sub>2...
李爱东
李学飞
曹燕强
吴迪
文献传递
原子层沉积栅介质材料与Ⅲ-Ⅴ族/Ge半导体的界面结构及其电学性能研究
几十年来,传统的Si基CMOS器件的尺寸一直遵循摩尔定律持续缩小。随着器件集成度和工作频率的不断提高,单位面积芯片上的功耗也不断增大,成为阻碍摩尔定律延续的一个瓶颈。功耗正比于工作电压的平方,降低工作电压可以有效地减小功...
李学飞
关键词:
电学性能
原子层沉积
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张