公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

双掺杂透明导电氧化物纳米线的制备与发光性能: 2007年; 文章以金属镓(Ga)、铟(In)和氧化亚锡(SnO)粉末作为前驱反应物,通过简单的热蒸方法成功制备出双掺杂的氧化物ISGO(掺杂了In、Sn的Ga2O3)纳米线。样品的形貌、结构与成分的测定分别在场发射扫描电镜、X射线衍射谱仪、选区电子衍射、高分辨透射电镜以及X射线能量散射谱仪上进行,结果表明已合成的纳米线为掺杂In和Sn具有单斜晶结构的-βGa2O3;还提出了用自催化气-液-固(VLS)生长机制来解释双掺杂氧化物ISGO纳米线的生长;提出了由于Sn和In成分的双掺杂,使得其发光峰的峰位明显红移、半高宽变宽。; 肖海花陈翌庆徐亮苏勇朱黎昂周庆涛; 关键词：透明导电氧化物光致发光

透明导电半导体氧化物纳米线的制备、结构表征及发光性能研究: 近年来，透明导电半导体氧化物材料(TCOs)吸引了人们的广泛关注，它在纳米规模的电子元件和光电器件等方面具有潜在应用价值和广阔应用前景，其纳米结构如纳米线、纳米棒、异质结、纳米薄膜和纳米颗粒等都是人们研究和开发的热点。本...; 朱黎昂; 关键词：纳米线光致发光掺杂发光性能; 文献传递

全选清除导出

共1页<1>

朱黎昂