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戴培英

作品数：17 被引量：6H指数：2
供职机构：郑州大学更多>>
发文基金：河南省自然科学基金国家自然科学基金河南省教委自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信自然科学总论化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇理学
  • 7篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 8篇电子辐照
  • 6篇退火特性
  • 5篇载流子
  • 5篇载流子寿命
  • 5篇少数载流子
  • 5篇少数载流子寿...
  • 5篇NTD硅
  • 4篇硅
  • 3篇NTD
  • 3篇TLS
  • 3篇超声弛豫
  • 2篇等温
  • 2篇等温退火
  • 2篇退火
  • 2篇能级
  • 2篇缺陷态
  • 2篇中子嬗变
  • 2篇中子嬗变掺杂
  • 2篇金属
  • 2篇金属玻璃

机构

  • 14篇郑州大学
  • 1篇河南农业大学
  • 1篇中州大学
  • 1篇苏州铁道师范...

作者

  • 15篇戴培英
  • 8篇董友梅
  • 3篇王国樑
  • 2篇王国梁
  • 2篇张宇翔
  • 2篇李燕山
  • 2篇郭敏
  • 1篇王国梁
  • 1篇李维强
  • 1篇司怀吉

传媒

  • 5篇郑州大学学报...
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇物理学报
  • 2篇第六届全国电...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇郑州大学学报...

年份

  • 2篇2001
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1994
  • 3篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
TLS退激发和金属玻璃超声吸收
王国梁戴培英
关键词：金属玻璃超声弛豫能级
NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性被引量：2
1997年
本文研究了ＮＴＤ硅经电子辐照缺陷的等时退火特性，获得了五个缺陷能级。
戴培英李燕山董友梅
关键词：NTD硅电子辐照硅
高能粒子辐照中子嬗变掺杂硅及其器件的特性研究
戴培英董友梅郭敏张宇翔李燕山李维强
我们对原始材料为区熔（FZ）N型NTD硅，无位错单晶，（111）晶向，电阻率为A#（45～70Ω·cm），B#（60～80Ω·cm）和C#（80～110Ω·cm），少于寿命T≥100μS，进行了系统、严谨的研究。首先用同...
关键词：
关键词：中子嬗变
含红外发散的低温玻璃超声声速理论
1989年
本文采用红外发散和隧道态模型,讨论玻璃超声声速在3K温度以下的行为。我们把声速的改变看作两部分组成:无弛豫过程和有弛豫过程。前者采用“玻色型元激发”理论处理;后者采用“含红外发散的隧道弛豫”理论处理。我们不但得到与实验符合较好的声速-温度曲线,并且解释了一般频率下(10~7Hz,T为0.3—1K),声速与频率无关的lnT规律和高频下(2GHz,T<0.1K)声速存在极小值的现象。
王国樑戴培英
TLS荷电态和两次超声饱和吸收
王国梁戴培英
关键词：金属玻璃超声弛豫
电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性被引量：1
1998年
本文研究了高阻（８０～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时、等温退火特性，获得了５个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３，Ｅ４能级是主要的复合中心．
董友梅戴培英
关键词：NTD硅电子辐照少数载流子寿命缺陷态
高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性
1999年
报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤＦＺＳｉＰ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，并对结果进行了分析讨论。
董友梅戴培英
关键词：电子辐照少数载流子寿命P-N结
BCS非晶超导体中的TLS激发态寿命
1994年
本文讨论局域电子对ＢＣＳ非晶超导体超声吸收的影响，只要超声强度足够强，可能观测到两次超声饱和现象．
王国戴培英
关键词：非晶超导体激发态BCSTLS
电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性
2001年
报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。
戴培英董友梅司怀吉
关键词：电子辐照等温退火中子嬗变掺杂NTD硅
电子辐照NTD FZ Si等温退火特性
1999年
本文报导了关于高阻 Ｎ 型区熔（ Ｆ Ｚ） Ｎ Ｔ Ｄ－ Ｓｉ－ Ｐ＋ Ｎ 结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５ 个缺陷能级： Ｅ１ ＝ ０ ．１６ｅ Ｖ， Ｅ２ ＝ ０ ．２７ｅ Ｖ， Ｅ３ ＝ ０ ．３１ｅ Ｖ， Ｅ４ ＝ ０ ．３７ｅ Ｖ 和 Ｅ５ ＝ ０ ．４２ｅ Ｖ．结果表明 Ｅ３ 和 Ｅ４ 有比其它３
董友梅戴培英郭敏张宇翔
关键词：NTD电子辐照等温退火缺陷态
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